高度有序的AIN纳米锥阵列的可控生长及其场发射性质研究.pdfVIP

中国科协第四届优秀博士生学术年会论文集 高度有序的AIN纳米锥阵列的可控生长及其场发射性质 陈卓 曹传宝 北京理工大学，北京，100081 摘要本文报道了表面尺寸、形貌与密度都可控的高度有序的氮化铝纳米锥的生长。XRD、 纳米锥生长机理进行了讨论。场发射检测结果为：700(2生长条件下的A1N纳米锥阵列开启 电压为10．8Vgrnl，闽值电压为13．6Vpml；800℃条件下的产物开启电压与阈值电压分别为： 12．2和15．2V1．tm～。该结果表明随着纳米锥顶部尺寸减小，其开启电压同样减小． 关键词应用化学；氮化铝；纳米锥；场发射 引 言 一维纳米结构材料由于独特的物理性能及其在未来纳米技术中潜在的应用而备受关注‘1—1。氮化铝作 为III族氮化物中的一员具有较宽的带隙6．2eV，较高的热导率、较低的热膨胀系数以及良好的机械性能 与化学稳定性H】。与此同时，由于氮化铝具有负的电子亲和势，而具有较小电子亲和势的材料在电场作 用下很容易使电子从材料表面发射至真空中，这使得氮化铝在场发射器件中极具应用前景15-71。材料的表 面尺、J‘、形貌及其密度都对场电子发射性能有着重要的影响。因而在氮化铝纳米材料的研究中，如何通 过实验制备高度有序并使其表面尺寸、形貌与密度都可控的一维阵列以满足场发射器件的要求成为当前 研究的关注点【8～01。本文报道了一种简单地通过调节各实验条件的方法实现了表面尺寸、形貌与密度都 可控的高度有序的氮化铝纳米锥的生长。并对其场发射性能进行了检测，结果表明随着纳米锥顶部尺寸 减小，其开启电压同样减小。此外，在制备方法上，本文所报道的方法既不用模板，也不用催化剂，比 其他方法更为简单。 1 实 验 1．1仪器与试剂 L--O．15406nm)；日立S-4800扫描电镜(SEM)；FEI(Tecnai 测试于室温、1．2Xl矿Pa的真空腔中进行。直径1mm的棒状无碳钢作为阳极，样品作为阴极，其距离为 485型皮安表用于测量发射电流。 100pm。Keithley 1．2实验过程 氮化铝合成于传统的水平管式炉中。(111)面硅片在经过乙醇和蒸馏水的反复超声清洗并晾干后置于 石英管中部。将无水三氯化铝(分析纯，北京化学试剂公司)装到瓷舟中并置于石英管前端的150(2温区。 sccm。将管 然后用氩气反复清洗石英管5分钟以排除其中的空气。控制氨气和氩气流量分别为100和200 时间(1060min)得到一系列产物。 642 材料科学 2结果与讨论 2,1氯化铝纳米结构与形貌的表征 21 1 AIN纳米锥阵列的Ⅺm分析 生长高度有序，均只出现六方相AIN(002)晶面的衍射峰。表明AIN纳米锥优先沿c轴生长。 ∞ 30 ㈣ ∞ 60 70 2TncⅢdc，鄙) 圈1 700C、750℃下±长30分钟的AIN纳米锥阵列产物的XRD圈谱 21 2可控ALN纳米锥阵列的SEM和HRTEM分析 列形貌随生长温度的变化。从俯视和侧视图中可以看出．丈规模、垂直、高密度的一维AIN纳米锥阵列均 匀的生长于硅衬底上．且随着温度上升，AIN纳米锥顶部尺寸增加，而密度减小。 圈2可控A]N纳米锥阵列随温度变化的扫描电镜俯视(a～d)和侧规图忙，0 643 圈圈 一．{glr{￡{lu Ap口hcdkld目vmm) E(V41mJ