N+环对硅探测器特性的影响研究.pdfVIP

N环‘对硅探测器特性的影响 弋戈 王勇 清华大学微电子学研究所 100084 一 .目U舀 硅探测器在医疗、高能物理等方面有重要用途.在以往的硅探测器的制造中”‘”‘， 我们倚助保护环来提高击穿电压和减小表面漏电流对器件特性的影响，以提高探测器的性 能，其代价是增加了一个输人端口用来偏置保护环.这里我们探讨了一种新的结构，即用 非偏置的N环‘来替代保护环，在基本保持器件性能不变的前提下，使探#4器更紧凑、更有 通用性. 采用N环‘的探测器、在表 面可形成横向p-n-n，结，其 结构如图一所示.当施加反向 偏压时，突变结p-n一产生的耗 尽层在器件表面横向推进到n 层便几乎停止了，这样只有p‘ 层和n+层之间的表面漏电流会 影响硅探测器的特性.另外， 在高湿度下工作的探测器， 图一 N个环结构剖面及耗尽层扩展示意图 Si02层表面上有时会积聚一些 负电荷13’，导致氧化层下的硅 反型 ‘这会使得探侧器的耗尽层向远处扩展，使表面漏电流增大;当耗尽层扩展到器件的 边缘(划片槽)时，漏电流会成数量级地增加以致发生击穿。N’环可以很好地起到阻止耗尽 层在表面横向扩展的作用，从而可提高硅探NJI器的长期稳定性. 二.器件模型 在上述p-n -n结中，n一层的横向的宽度(d)必须进行较为准确的估算.d太大， n环起不到作用;d太小，横向p-n-一结‘的击穿电压较小，影响硅探测器的击穿特性 ‘ 为了得到d的精确数值， 我们在柱坐标系下建立起简化 p-n-n结模型，如图二所 示.版图设计时，p区一般设 计为圆角，即基本上消除了球 面p。一结.因此可以根据图 二所示的简化模型来模拟实际 结构的击穿特性.在柱坐标系 下配合边界条件解泊松方程， 求得电场和电势分布，运用电 场积分来从指定的击穿电压BV推导出合适的d.经过上述计算，得到当衬底浓度N。在1护 ccm-3量级，扩结深约为1微米时，满足扩-n}-n结构最大击穿电压BV=i00V的n一区的横向 宽度d约为8微米. 279 根据推导出的d值，我们可确定 ‘一层宽度的大体范围.n一层的实际宽度，可通过工 艺实验来确定. 三.实验设计 本次实验制作了七片样品，衬底全部为N型.其中衬底的电阻率为:1至3号是高阻 硅片(6000S2*cm),4至7号是中阻硅片(800-1200n*cm).为了便于对比，在‘每片样品 上都设计了五同‘一层宽度的p-nn,结构的环『探测器及带保护环结构的常规探测器. 横向p-n-n结构中n一区宽度d分别取值5、10、15、20、25、35、50微米， 保护环与其探测器二极管间距一律为75微米.另外，在同一硅片上，所有不同结构都设计 了多个重复单元，以避免偶然因素的影响. 四 实验结果及讨论 1.击穿特性 表一 不同d值的N环结构对应的击穿电压 不同n一层宽度的p 结构的