离子刻蚀ⅢⅤ族半导体材料的损伤机理研究.pdfVIP

吴惠桢等：离子刻蚀ⅡI—v族半导体材料的损伤机理 离子刻蚀Ⅲ～V族半导体材料的损伤机理“ 吴惠桢1’2，曹 萌1，劳燕锋1，刘 成1，谢正生1，曹春芳2 (1．中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海200050 2．浙江大学物理系固体电子材料物理与器件宴验室，浙江杭州310027) 摘要： 采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对应变量子阱发光特性方面的研究甚少。 InGaN／AlGaN、InAsP／InP应变多量子阱和InAsP／本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCvD)生 InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究，光致发光特 性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著 增强，导致发光效率增强的物理机理是：干法刻蚀一方 面使量子阱表面变粗糙．使出射光逃逸几率增大I另一 蚀技术对上述量子阱覆盖层进行了不同厚度的刻蚀， 方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化别是 同时采用湿法腐蚀进行相似处理，通过比较两种情况 发光效率提高的主要原因。 下量子阱荧光特性的变化，分析了离子刻蚀影响应变 关键词：半导体；刻蚀；应变多■子阱；损伤 量子阱发光的机理。 中图分类号：TN304．23 文献标识码：A 2实验 文章编号：1001-9731(2006)增fq～025卜05 为了分析离子刻蚀后量子阱受损伤情况下的发光 i引言 特性，我们设计了InAsP／InP应变多量子阱结构o]． Ⅲ族氮化物材料属于直接带隙半导俸材料，具有 如图1(a)所示。离子刻蚀一方面会引起样品表面变 禁带宽度宽、物理性质和化学性质稳定、耐高温和抗腐 粗糙，另一方面也可能会引起量子阱微结构的变化，为 蚀等特性。随着材料生长和器件工艺水平的不断提高 了区分这两个因素对量子阱发光特性的影响，我们设 以及一些关键技术的突破，Ⅲ族氯化物薄膜研究十分 活跃，Ⅲ族氮化物基器件发展也十分迅速“4。。其中 所示，其中第二层10nmInGaAsP既是量子阱的势垒 In，Ga，。NⅢ族氯化物光电器件材料最为引人关注，层，又是湿法腐蚀的阻挡层。 通过调节In的含量可以获得较大能量范围的带隙 (o．7～3．4eV)。因此，In：Ga，一；通常可以提供较好的 辐射复合效率，并且投有黄带发光，适合用于制造可见 光和UV波段的发光二极管和激光器等多种Ⅲ族氮化 物光电器件”J。 InAsP／InP应变量子阱材料既是研究应变及二维 物理的一种典型材料，也是生产光通信用激光二极管 器件的理想有源层材料“]，以lnAsP／InP材料为有源 图1 层的近红外波段激光器在通讯、交通、环境监控等方面 GaAsP应交单量子结构(b) 有重要的应用，因此人们将研究重点放在如何改善应 1 Thestructureof Fig InAsP／InP 变量子阱发光特性上。目前比较常用的方法是对量子 SMQW(b) InAsP／InGaAsP 阱材料进行退火来捎除生长过程中带来的一些缺陷， 提高量子讲材料质量，从而增强其发光强度“3；还可以 品作为参考，然后制备4个样品用于离子刻蚀。刻蚀 对量子阱材料进行氢离子注入，氢化作用可以钝化量 前用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在样品表 子阱结构内部许多电学活动中心(如浅掺杂、深能级、 界面