离子轰击对碳纳米尖端结构的影响研究.pdfVIP

2005年12月 第十三届全目电子柬·离子束·光子束学术年套 湖南·长沙 离子轰击对碳纳米尖端结构的影响 王必本” 徐幸梓” 张兵“ (a)北京工业大学应用数理学院，北京，100022 (b)重庆大学材料科学与工程学院，重庆，400044 摘要：cI{4、NH，和H：为反应气体，利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统在无和有辉光放电的 条件下制备了不同结构的碳纳米尖端，并用扫描电子显微镜和显微Raman光谱仪对碳纳米尖端进行 了研究。结果表明碳纳米尖端是石墨结构，在有辉光放电时，能够形成顶角较小的碳纳米尖端。根据有 关等离子体和溅射的理论分析，在有辉光放电时能够形成顶角较小的碳纳米尖端是由于离子的溅射 刻蚀所致。 关键词：碳纳米尖端；离子轰击；化学气相沉积 一、引言 自从1991年Iijima发现了碳纳米管之后【I】，由于碳纳米材料如纳米金刚石、碳纳米管和碳纳米尖 端等独特的结构和性能…，有关碳纳米材料的研究引起了人们的广泛关注。碳纳米尖端是最近几年发 现的一种碳纳米材料，它在场致电子发射时的开启电场强度为0．1V／mm，是目前所有材料中场致电子 发射开启电场强度最低的材料141，表明它是场致电子发射源的最佳侯选材料。众所周知，si是微电子器 件常用的半导体材料。在si表面上制备碳纳米尖端时，为了促进碳纳米尖端的生长，经常要采用金属 催化剂。在碳纳米尖端生长的过程中，金属催化剂与si在界面上形成一层金属与si的化合物【4域催 化剂颗粒位于碳纳米尖端的顶端8，这将阻碍电子从阴极到发射位置的输运。在这里，我们不采用金属 催化剂，通过先在si表面上沉积一层的非晶碳后，利用负偏压增强热丝化学气相沉积(CVD)实现了碳 纳米尖端在si表面上的生长，并且发现在辉光放电的情况下能够形成顶角较小的碳纳米尖端。由于辉 光放电在衬底表面附近形成很强的电场，辉光放电所产生的离子在强电场的作用下对衬底表面进行 强烈的轰击【5】。根据有关等离子体和溅射理论的分析，我们认为离子对非晶碳层的强烈轰击引起了非 晶碳层的溅射刻蚀导致了顶角较小的碳纳米尖端的形成。 二、实验与结果 制各碳纳米尖端的负偏压增强热丝CVD系统如图l所示。灯丝是直径为lmm的螺旋状钨丝，其 温度加热到1600℃左右。灯丝与衬底之间的距离为10mm。衬底为Si片，依靠灯丝进行加热，温度为 800％左右。在负偏压电路中，偏压电源为直流恒流源，相对于灯丝的负偏压通过衬底支架加到衬底 上，用来产生辉光放电。反应气体为cH4、H：和NH3的混合气体，气体的总流量为标准状况下100mL／ 碳纳米尖端之前，先用cH4和H：的流量比为5／95的混合气体在Si片上沉积1小时的碳膜。然后， 引入其它反应气体，调节反应气体的流量使得CH4、H：和NH，的流量比别为20／40／40，在无和有辉光 放电的情况下开始生长碳纳米尖端．生长时间为20分钟。 教育部留学回国人员科研启动基金资助项日 —401— 2005年12月 第十三届全国电子柬-离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 电极 入口 图1负偏压增强热丝CVD系统 图2碳膜的SEM照片 (a)：无辉光放电 (I))：有辉光放电，偏压电流为180mA 图3碳纳米尖端SEM照片 用电子显微镜(SEM)和显微Raman光谱仪对沉积的碳膜和生长的碳纳米尖端进行了表征。图2 是在si上沉积的碳膜的SEM照片。图3(a)和(b)分别是在无和有辉光放电的情况下生长的碳纳米尖 端SEM照片，从图3中明显地可以看出，有辉光放电产生时生长的碳纳米尖端顶角比无辉光放电时 的小，并且形貌也较规则。图4(a)和(b)分别是相 应于图2和图3(b)样品的显微Raman光谱，表明 生长的碳膜是非晶碳层，碳纳米尖端是石墨结构。 三、分析与讨论 以上结果表明辉光放电对碳纳米尖端的结构 有很大的影响。由于离子的轰击能够诱导碳须的形 成_，因此在生长碳纳米尖端之前，先