立方GaN的侧向外延生长研究.pdfVIP

200)年10月 ·广西 ·北梅 第七届全国固体薄膜学术会议 立方GaN的侧向外延生长 付男 段俐宏，杨辉，赵德刚，李顺峰，孙元平，冯志宏 (中国科学院半导体研究所 北京 100083) 摘要:本文研究了用MOCVD方法进行立方GaN在Si02掩盖下图形衬底上的侧向外 延生长。鱼丝外延层的脚继逛与条形GaN窗口的取向密切相关。在条形窗口沿 (110) 晶向时，外延层的截面为倒梯形，侧面为 (111)A面:窗口沿 (1-10)晶向时的外延层截 面为正梯形，侧面为((111)B面。明显观察到了只州在丝五丛朦止的侧向生长，并测量 了不同生长条件下外延层的侧向和垂直生AggAt. 优化的生长条件下，样品的室温光荧 光谱中没有观察到黄光峰和六方GaN的发光峰务- 1.引言: 近年来，在蓝光和紫外波段工作的GaN基LED和LD等器件取得了重大的进展，预 示着GaN基材料将在光电子领域扮演重要的角色。但是在GaN生长中仍然存在着困难， 缺少晶格匹配的衬底材料尤其阻碍着高质量外延层的获得。六方GaN与其在生长中所用的 蓝宝石衬底 A-02cc31〔 )有16%的失配，立方GaN和GaAs衬底的晶格失配度更是高达20%. 如此大的晶格失配导致了外延层中的高密度位错和层错，甚至引起了外延层的开裂和衬底 弯曲。这些缺陷增加了器件的发热，缩短器件寿命。解决这一间题的理想方法是用GaN体 单晶作为外延生长的衬底，但目前GaN体单晶仍然只有很小的尺寸和缓慢的生长速度。人 们为降低晶格失配的影响作出了很多尝试，其中最具希望的即是侧向外延技术 e〔pitaxial lateralovergrowth). 侧向外延是在已经获得的GaN外延层上淀积掩膜材料 (S02或Si尹。).并光刻出特定 的图形窗口.再于其上进行GaN的二次外延。由于GaN在SiO2上为异质成核，形核能远 大于在GaN窗口的形核能，从而实现选择性外延。在窗口中外延出的GaN超出掩膜时， 发生侧向生长。当占空比(掩膜宽度I窗口宽度)合适时，侧向生长一定时间后相邻窗口区 生长的GaN便可相互弥合，从而得到全夜盖的GaN外延层。此时Siq掩膜可看成GaN生 长的自由表面，位错容易弯折 如。向自由表面横向延伸，相邻窗口的位错弥合后形成闭合 的位错环，有效减小了位错密度。报道六方GaN中的位错密度已由1Oscrn2降至100cm20 利用侧向外延层制备的激光器的寿命已达 10000小时以上，日本的中村秀二已开始小批量 的商品化生产。另有报道[1]把侧向外延应用于紫外光探测器的制作，漏电流下降了四个数 量级，器件效能有了较大提高。 目前绝大多数的研究工作都集中在六方GaN的侧向外延生长上[2,3,4]，本文研究了立 方GaN的侧向外延。我们发现侧向外延GaN层的形貌特征取决于GaN窗口的取向。在优 化的生长条件下，在室温光荧光谱中没有观察到六方GaN发光峰的存在。 2.样品侧备: 用于立方GaN侧向生长的衬底是在GaAs(001)面上用MOCVD方法制备的约0.611m 厚的GaN材料。在其上溅射淀积约60nm的SiO2掩膜层。如图1所示，在样品的掩膜层上 用光刻出沿 (110)和 ((1-10)方向的GaN窗口。窗口宽度为3Fun，周期为13)im。进行侧 向外延时，生长温度为850,0,稼源为TEGa,氮源为高纯氨，载气为H2。样品1-5氨气流 量分别为300slm,200slm,50slm,30s1m,15slm，其余生长条件相同。 2以刃年01月 ·广西 ·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 . … 司卫)1 . … 聪’一’卜 . … . … (h) 图1侧向外延衬底的表面 (a) 和截面 (b)示意图 3.结果与讨论: 图2(a)和 b)〔分别是样品在侧向生长之前和之后的扫描电镜照片，由图中可以看 出掩膜区没有GN‘成核，表明了在5飞仇上良好的成核选择性。图3a()和b()分别是沿 (UO) 和 (1一1)0方向G压闪窗口生长的外延