薄膜器件牺牲层固态升华释放设备的研制研究.pdfVIP

2005年12月 第十三届全国电子束·离子柬·光子柬学术年会 湖南·长沙 薄膜器件牺牲层固态升华释放设备的研制 石莎莉 欧毅董立军陈大鹏叶甜春 纳米加工与新器件集成重点实验室 中国科学院微电子研究所，北京100029 摘要：牺牲层释放技术是制备薄膜器件的关键技术之一，牺牲层去除能释放表面硅工艺中的薄膜 悬浮结构，或形成空腔。然而在释放过程中，多数情况下会出现粘连现象，导致结构失效。为解决该黏 附问题，基于固态升华原理研制了～种牺牲层释放设备。结合牺牲层释放的特殊工艺要求，分析了其 主要结构及特点。最后采用该设备对一种微机械可变衰减器进行了结构释放，实验证明该设备可以成 功应用于富硅型低应力氮化硅薄膜器件的牺牲层释放工艺。 关键词：牺牲层；升华；释放；设备 高质量薄膜的制备是制作活动器件中必不可少的步骤，比如富硅型低应力氮化硅薄膜的制备能 够为活动器件提供良好机械性能的自支撑膜。而牺牲层释放技术是硅微加工中制备薄膜器件的关键 技术之一。牺牲层去除后。能释放表面硅工艺中的薄膜悬浮结构。或形成空腔。然而在释放过程中，多 数情况下会出现粘连现象，导致表面微机械结构失效。粘连现象是牺牲层腐蚀完成后，干燥过程中液 体挥发产生表面张力引起结构层下拉造成的。目前国内外常用的有两种设备来解决该问题：一种是超 临界二氧化碳(co：)干燥设备，利用液态CO：向超I届界流体转化，直接转化为气态，不会出现液一气界 面．从而避免表面张力的作用；另一种是固态升华释放设备，能将最终的置换液体冰冻成固态再升华， 避免液态，不会产生粘连。 atm)环境下，且装置复杂，成本高。固态升华释放设备 超临界c02干燥设备需工作在高压(82．7 较之使用安全，成本低。本篇介绍的固态升华释放设备与国内同类设备相比，备有真空系统，利用半导 体热电制冷，电阻丝加热，加热电阻丝与半导体热电制冷环的分离由继电器控制，从而达到快速升温。 1设备主要技术规范 电源：AC220V 加热功率：1000w 制冷功率：300W 工作温区：一15—100℃ 环境温度：≤27℃ 冷却水温度：≤27℃ minx400mmx220mm 机箱尺寸：500 真空罩尺寸：‘p270ramx200mm 极限真空度：6．0x10-2Pa “973”计射资助项目(G200036504．2002CB311907) 国家自然科学基金资助项目60276019) 2005年12月 第十三届全回电子束·离子束·光子束学术年套 湖南·长沙 制冷方式：半导体热电制冷 加热方式：电阻丝加热 散热方式：水冷散热 温控方式：P1D控制 制冷速度：30rain内由室温降到一15℃ 加热速度：30see内由一15qc升到10C 2设备主机结构设计 该设备主要由机箱，真空室，真空系统、水冷系统、电器控制系统和电源等部分组成。设备结构如 图1所示。 (a)设备结构(正面图) (b)机箱背面图 图1．设备结构 一321— 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束-光子束学术年会 湖南·长沙 2．1机箱 机箱包括电源、制冷部分、加热部分、温度控制器、散热风机等部分(见图1)。其中，制冷和加热 部分是核心。制冷部分采用半导体热电制冷器，其基本原理如图2。 驴热 驴端 图2．热电制冷原理示意图 热电制冷器由具有热电能量转换特性材料制备，在通过直流电时具有制冷功能。热电材料具有温 差电动势，