超薄RuTaN双层结构作为铜互连的扩散阻挡层研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 超薄Ru／TaN双层结构作为 铜互连的扩散阻挡层 谭晶晶，屈新萍，谢琦，蒋玉龙，茹国平，李炳宗 复旦大学微电子学系，上海200433 摘要；研究了钌(Ru)／氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性，在Si(100)衬底上 用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru／TaN以及cu／Ru／TaN薄膜，样品经过高纯氮气保护下 的快速热退火，用X射线衍射，四探针以及电流“时间(i’t)测试等表征手段研究了Ru／TaN 双层结构薄膜的热稳定性和对铜的扩散阻挡特性。实验分析表明Ru／TaN双层结构具有较 佳的热稳定性和扩散阻挡特性，在无籽晶铜互连工艺中有较大的应用前景。 关键词：钌，氮化钽，铜互连，扩散阻挡层 1引言 目前半导体工业界采用双镶嵌工艺来制备铜互连结构，在刻蚀好的通孔中淀积钽 (Ta)／氮化钽(TaN)双层结构作为铜的扩散阻挡层，然后再淀积较厚的铜籽晶层以获得良好 45nm或以下，这种结构将面临各种挑战。随着沟槽 的电镀铜层。当工艺特征尺寸