超薄RuTaN双层结构作为铜互连的扩散阻挡层研究.pdf

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 超薄Ru／TaN双层结构作为 铜互连的扩散阻挡层 谭晶晶，屈新萍，谢琦，蒋玉龙，茹国平，李炳宗 复旦大学微电子学系，上海200433 摘要；研究了钌(Ru)／氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性，在Si(100)衬底上 用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru／TaN以及cu／Ru／TaN薄膜，样品经过高纯氮气保护下 的快速热退火，用X射线衍射，四探针以及电流“时间(i’t)测试等表征手段研究了Ru／TaN 双层结构薄膜的热稳定性和对铜的扩散阻挡特性。实验分析表明Ru／TaN双层结构具有较 佳的热稳定性和扩散阻挡特性，在无籽晶铜互连工艺中有较大的应用前景。 关键词：钌，氮化钽，铜互连，扩散阻挡层 1引言 目前半导体工业界采用双镶嵌工艺来制备铜互连结构，在刻蚀好的通孔中淀积钽 (Ta)／氮化钽(TaN)双层结构作为铜的扩散阻挡层，然后再淀积较厚的铜籽晶层以获得良好 45nm或以下，这种结构将面临各种挑战。随着沟槽 的电镀铜层。当工艺特征尺寸减4,30 和通孔长宽比的大幅度增加，由物理气相沉积(PVD)手段溅射的扩散阻挡层和籽晶铜层的 台阶覆盖性变得较差，可能会导致沟槽和通孔产生空洞。因此人们提出，采用超薄的能够 直接电镀铜的扩散阻挡层，这样就产生了无籽晶铜工艺。在无籽晶铜工艺中，铜能直接电 镀到扩散阻挡层上，这样不仅能够简化工艺，并且可以减轻由籽晶层不均匀所带来的问题。 u 钌(Ru)是一种贵重金属，Ru晶体的电阻率为7．6Q．am，大约是Ta电阻率的一半， 而且Ru的氧化物(RuO。)也是良导体(35uQ．cm)，同样适合铜的电镀。目前已经有一些在 Ru薄膜上直接电镀铜的报道n咱1。Ru薄膜可以使用物理气相淀积(PVD)，化学气相淀积 (CVD)以及原子层淀积(ALD)等多种手段旧‘1别来制备，结果都显示铜在钌薄膜上的粘附 性良好。但是，Ru薄膜本身并不是一个很好的扩散阻挡层，文献报道，20hm的Ru薄膜作 1i；而对于5nm的Ru薄膜，失效温度仅为300。C怕。。 为铜扩散阻挡层的失效温度为450州C 因此我们提出把Ru和一种良好的扩散阻挡层结合起来，即能对铜具有良好的扩散阻挡特 性，又能保持在Ru上直接电镀铜的优点。本文使用了工业界正在使用的TaN作为扩散阻 挡层，研究了该双层结构作为铜扩散阻挡层的特性。结果显示，Ru／TaN双层结构是一种比 较优异的扩散阻挡层，在无籽晶铜互连工艺中有较大的应用前景。 2实验 u 实验采用电阻率为5-8Q．am的n型(100)硅片作为衬底，用标准RCA方法进行清洗， 其中部分硅片用干氧生长厚度为lOOnm的氧化层。然后将衬底硅片置于离子束溅射系统中， X10～Pa，离子束 该系统采用Kaufman离子源，其本底真空为7×10一Pa，典型工作气压为5 空的条件下连续淀积Ru，TaN以及cu薄膜。淀积TaN时采用反应离子束淀积，淀积时氩气和氮 气的比例为2：1。 样品淀积后放置于快速热退火系统中，在高纯氮气保护下，进行不同温度下的快速热 退火处理，退火时问固定为一分钟。然后进行x射线衍射(XRD)，四探针薄层电阻测试等 Off 测试样品的薄层电阻变化，薄膜结晶状况以及物相形成。在Si02／Si衬底上利用Lift 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 工艺制备铜栅MOS结构，样品经不同温度退火后再在背面Ti／A1作为欧姆接触。再用 Keitheley2400源表一体测试仪测量该MOS结构在外加电场下的电流随时间的变化。 3结果和讨论 图1各种样品经不同温度退火后的薄层电阻，退火时间均为1分钟 都淀积了50nmCu，然后在不同温度下退火，利用四探针薄层电阻测试各种