电子10级《单片机MSP430》第2章1.pptVIP

（3）Flash 控制寄存器3——FCTL3 LOCKA： 第6位 InfoA段和信息锁。对该位写1将改变InfoA段和信息锁的状态。写0不产生影响。 0 在全部擦除主Flash区期间， InfoA段开锁，所有的信息Flash区被擦除。 1 在全部擦除主Flash区期间，InfoA段锁定，所有的信息Flash区受保护无法被擦除。 EMEZ： 第5位 紧急退出位。 CCISx： 13~12位 捕获比较输入选择 00 CCIxA 01 CCIxB 02 GND 03 Vcc SCS： 11位 同步异步选择 0 异步捕获 1 同步捕获 SCCI： 10位 捕获同步信号输入端 未使用： 9位 CAP： 8位 捕获模式 0 比较模式 1 捕获模式 OUTMODEx： 7~5位 输出模式配置 000 模式0 001 模式1 010 模式2 011 模式3 100 模式4 101 模式5 110 模式6 111 模式7 CCIE： 4位 0 不允许中断 1 中断允许 OUT： 2位 在模式0，该位直接控制输出电平 CCIFG： 0位 捕获比较中断 1 无中断发生 0 中断发生 CCI： 3位 捕获比较输入 COV： 1位 捕获溢出控制位 0 无捕获溢出 1 捕获溢出 2.6 FLASH控制器 本节将介绍MSP430G2553 单片机Flash 控制器的结构和原理，FLASH 控制器的相关寄存器定义和FLASH 的读写操作。 3.5.1 Flash 存储介绍 MSP430 Flash 存储器可以按位、按字节和按字进行寻址和编程的。 MSP430 Flash 存储器的特征包括： （1）内部编程电压的产生 （2）可按位、字节或字可编程 （3）超低功耗操作 （4）段擦除和全部擦除主Flash 区 （5）边界0 和边界1 读模式 Flash 块带有一个可以控制编程和擦除操作的控制器。 该控制器内有4 个寄存器、1 个时序信号发生器和1 个提供编程和擦除电压的电压发生器。 Flash 控制器的结构框图如图3.5.1 所示： 注意：在对Flash 进行读和写操作期间供电电压VCC的最小值2.2V，如果低于这个电压值，则写和擦除的结果将是不可预知的。 3.5.2 Flash 存储器的分段 MSP430 Flash 被分割成不同的段(segment)。虽然单一的位、字节或字都可以被写入到Flash 中，但段是Flash 可擦除的最小单位。 Flash 的段分别隶属于主Flash（MainFlash）区和信息Flash(InfoFlash)区。在对主Flash 区和信息Flash 区进行操作时几乎没有差别，所以代码和数据可以放置于这两个区中的任意一个。这两个区的区别在于它们段的大小和所处的物理地址范围不同。 信息Flash区有4个64字节的段。主Flash区至少有两个512字节的段。 段又进一步被划分成块(block)，下图显示了一个带有8个主Flash区段和4个信息Flash区段的32KB Flash分段结构图： InfoA段： 可以使用LOCKA位将信息Flash区的InfoA段独立于其他的段被单独锁住。当LOCKA=1时,Flash被锁定，用户不能对InfoA段进行写和擦除的操作，并且整个信息Flash区在全部擦除主Flash区和编程期间不响应其他的擦除操作；而当LOCKA=0时，Flash解除锁定，用户可以像对flash中其他的段一样对InfoA段进行擦除和写入，并且整个信息Flash区在全部擦除主Flash区和编程期间被擦除。 对LOCKA位写1该位的状态将被取反，写0时不起作用。这使得现有的Flash编程程序被使用而不发生改变。 InfoA段的开锁和上锁分别使用下面的语句就可以了： FCTL3=FWKEY; //开锁 FCTL3=FWKEY+LOCKA; //上锁 3.5.3 Flash的操作 Flash的默认状态下的模式是读模式。在该模式下，Flash是不能被擦除或者写入的，此时Flash的时序信号发