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3.1 电子光学系统 电子光学系统:包括电子枪、电磁透镜、扫描线圈和样品室。 电子枪 SEM 中的电子枪与TEM中的相似,但加速电压比TEM低 SEM中束斑越小,即成像单元越小,相应的分辨率就愈高。 热阴极电子枪 束斑可达6nm 六硼化镧和场发射电子枪,束斑更小 3.1.1电子枪 3.1.2电磁透镜 功能:聚焦电子束,使束斑直径从50um汇聚到数个nm。一般通过三级透镜来完成。前二者是强透镜,可把电子束光斑缩小,第三个是弱透镜,具有较长的焦距,习惯于叫物镜,其目的在于使样品和透镜之间留有一定空间以装入各种信号探测器。 3.1.3 扫描线圈 其作用是使电子束偏转,并在样品表面作有规则的扫动 电子束在样品上的扫描动作和显像管上的扫描动作严格同步,因为它们是由同一扫描发生器控制的。 3.1.4 样品室 功能:放置样品,安装信号探测器;各种信号的收集和相应的探测器的位置有很大关系。 样品台本身是复杂而精密的组件,能进行平移、倾斜和转动等运动。 新式电镜的样品室是个微型试验室,带有各种附件,可使样品在样品台上加热、冷却和进行机械性能试验。(拉伸、疲劳) 3.2 信号收集处理和图像显示记录系统 二次电子,背散射电子,透镜电子的信号都可采用闪烁计数器检测。 原理:信号电子进入闪烁体即引起电离,当离子和自由电子复合后产生可见光。可见光信号通过光导管送入光电倍增器,光信号放大,即又转化成电流信号输出,电流信号经过视频放大后就成为调制信号。 信号收集及显示系统 检测样品在入射电子作用下产生的物理信号,然后经视频放大作为显像系统的调制信号。普遍使用的是电子检测器,它由闪烁体,光导管和光电倍增器所组成 3.3 真空系统 为保证扫描电子显微镜电子光学系统的正常工作,对镜筒内的真空度有一定的要求。一般为10-4-10-5mmHg。 典型机型 HITACHI公司的X-650 FEI公司的SIRION200 JEOL公司的JSM-5600LV JSM-6700F场发射扫描电镜 SEM样品制备 对导电性材料来说,除了几何尺寸和重量外几乎没有任何要求,尺寸和重量对不同型号的扫描电镜的样品室也有不同的要求。对于导电性较差或绝缘的样品若采用常规扫描电镜来观察,则必须通过喷镀金、银等重金属或碳真空蒸镀等手段进行导电性处理。所有的样品均必须无油污,无腐蚀等,以避免对镜筒和探测器的污染。 样品是否导电对成像的影响 Non-conductive silicon nitride Charging No charging 扫描电镜的最大优点是样品制备方法简单,对金属和陶瓷等块状样品,只需将它们切割成大小合适的尺寸,用导电胶将其粘接在电镜的样品座上即可直接进行观察。 对于非导电样品如塑料、矿物等,在电子束作用下会产生电荷堆积,影响入射电子束斑和样品发射的二次电子运动轨迹,使图像质量下降。因此这类试样在观察前要喷镀导电层进行处理,通常采用二次电子发射系数较高的金银或碳膜做导电层,膜厚控制在20nm左右。 第02讲 扫描电子显微镜-1 第02讲 扫描电子显微-1 概述 电子束与样品作用时产生的信号 扫描电子显微镜的构造和工作原理 样品制备 扫描电子显微镜的主要性能 表面形貌衬度及其应用 原子序数衬度原理及其应用 1. 概 述 扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope --SEM)是通过细聚焦电子束在样品表面扫描激发出的各种物理信号来调制成像的显微分析技术。 SEM成像原理与TEM不同,不用电磁透镜放大成像; 新式SEM的二次电子分辨率已达1nm以下,放大倍数可从数倍原位放大到30万倍; 景深大,可用于显微断口分析,不用复制样品; 样品室大,可安装更多的探测器,因此,与其它仪器结合,可同位进行多种分析,包括形貌、微区成分、晶体结构。 SED 二次电子探测器 in-lens SED 静电透镜装置 BSED 背散射电子探测器 EDX 能谱仪 EBSD 电子背散射衍射仪 FIB 聚焦离子束 GIS 气体注入系统 STED 受激发射损耗探测器 2. 电子束与固体样品作用时产生的信号 样品在电子束的轰击下,会产生各种信号。 背散射电子 二次电子 吸收电子 透射电子 特征X射线 俄歇电子 各种信号的作用深度 从图中可以看出,俄歇电子的穿透深度最小,一般穿透深度小于1nm,二次电子小于10nm。 背散射电子 背散射电子是指被固体样品中的原子核或核外电子反弹回来的一部分入射电子。用BSE表示。 背散射电子的强度与试样的原子序数Z有密切关系。背散射电子的产额随原子序数的增加而增加。 用作形貌分析、成分分析(原子序数衬度)(衬度:像面上相邻部分间的黑白对比度或颜色差)以及结构分析(电子通道花样)。 背散射电
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