第3章门电路OK.ppt

可见，无论输入如何，T4和T5总是一管导通而另一管截止。 AB段：vI0.6V, vB11.3V, T2、T5截止，T4导通，输出高电平3.4V。(截止区） 二、电压传输特性 BC段： vI0.7V, vI1.3V, T2导通，T5截止，T2工作在放大区。 （线性区） CD段：vI≈1.4V, vB1≈2.1V,T2、T5 同时导通，T4截止，输出电位急剧下降为低电平。 （转折区） DE段：vI1.4V, vI继续升高,vo不再变化，保持低电平0.3V。 （饱和区） 典型值VOH=3.4V VOL ?0.3V 。 阈值电压VTH(门槛电压) vIVTH时，认为vI是低电平。 vIVTH时，认为vI是高电平。 VTH=1.4V 输入全为高电平 vA=1 vB=1 导通 断开 vO=0 2.或非门 任一输入端为高，设vA=1 vA=1 导通 断开 vO=0 输入端全为低 vA=0 vB=0 断开 导通 vO=1 3. 带缓冲级的CMOS门电路 带缓冲级的门电路其输出电阻、输出高、低电平以及 电压传输特性将不受输入端状态的影响。电压传输特性的 转折区也变得更陡。 二、漏极开路输出门电路（OD门，Open-Drain Output） 为什么需要OD门？ 普通与非门输出不能 直接连在一起实现“线与”！ A B Y C D 1 0 产生一个很大的电流 需将一个MOS管的漏极开路构成OD门。 需加一上拉电阻 OD门输出端可直接连接实现线与。 A B Y C D VDD RL ①C＝0、 ，即C 端为低电平（0V）、 端为高电平 （＋VDD）时， T1和T2都不具备开启条件而截止，输 入和输出之间相当于开关断开一样，呈高阻态。 三、CMOS传输门 T1和T2的源极和漏极在结构上是完全对称的，所以栅极的引出端画在栅极的中间，分析时可将vI 输入端作为源极进行分析。vI不会超出0-VDD。 ②C＝1、 ，即C 端为高电平（＋VDD）、 端为低电平（0V）时，T1和T2至少有一个导通，输入和输出之间相当于开关接通一样，呈低阻态，vo＝vi 。 TG1 TG2 A B Y A=1、B=0时，TG1截止，TG2导通，Y=B =1; ′ 利用传输门组成异或门 A=0、B=1时，TG2截止，TG1导通，Y=B =1; A=0、B=0时，TG2截止，TG1导通，Y=B =0; A=1、B=1时，TG1截止，TG2导通，Y=B =0; ′ 利用传输门作双向模拟开关 , G4输出高电平，G5输出低电平，T1、T2 同时截止，输出呈高阻态； 四、三态门 A Y EN ′ 逻辑符号 1 0 1 1 0 A Y EN ′ 逻辑符号 0 1 0 1 1 1 0 若A=1，则G4、G5输出均为高电平，T1截止、T2导通，Y=0； 若A=0，则G4、G5输出均为低电平，T1导通、T2截止，Y=1； 0 0 0 1 A Y EN ′ A Y EN 低电平有效 高电平有效 三态门有三种状态:高电平、低电平、高阻态。 §3.3.6 CMOS电路的特点 CMOS电路的优点 1. 静态功耗小。 2. 允许电源电压范围宽(3?18V）。 3. 扇出系数大（驱动同类门的个数），噪声容限大。 1．输入电路的静电保护 CMOS电路的输入端设置了保护电路，给使用者带来很大方便。但是，这种保护还是有限的。由于CMOS电路的输入阻抗高，极易感应出较高的静电电压，从而击穿MOS管栅极极薄的绝缘层，造成器件的永久损坏。为避免静电损坏，应注意以下几点： CMOS电路的正确使用 （1）所有与CMOS电路直接接触的工具、仪表等必须可靠接地。 （2）存储和运输CMOS电路，最好采用金属屏蔽层做包装材料。 2．多余的输入端不能悬空。 　　输入端悬空极易感应出较高的静电电压，造成器件的永久损坏。对多余的输入端，可以按功能要求接电源或接地，或者与其它输入端并联使用。 3．输入电路需过流保护，防止将门电路内 钳位二极管烧坏，通常在输入端串接保护电阻。 3.5 TTL门电路 §3.5.1 双极型三极管的开关特性 一、双极型三极管的结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 B E C NPN型三极管 P N P 集电极 基极 发射极 B C E B E C PNP型三极管 二、双极型三极管的输入特性和输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A IB