中红外区基质折射率对碳化硅颗粒散射强度的影响.pdf

第４１卷　 第１２期 　　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４１，Ｎｏ．１２ 　 ２０１１年１２月　　 　 　　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ，２０１１ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１１）１２１３５９０５ ·光电材料 · 中红外区基质折射率对碳化硅颗粒散射强度的影响 徐庆君，庄申栋 （枣庄学院光电工程学院，山东 枣庄２７７１６０） 摘　要：基于Ｍｉｅ散射理论，对不同基质中的碳化硅材料散射强度进行数值计算与理论分析， 得到了中红外波段反常色散区和正常色散区中散射强度的分布特征，揭示了入射波长、基质折 射率与散射强度分布的内在规律。研究结果为该材料在中红外区的开发和应用提供了理论 依据。 关键词：反常色散；正常色散；Ｍｉｅ散射；散射强度；ＳｉＣ 中图分类号：Ｏ４３３．４　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１１．１２．０１５ Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｍｅｄｉｕｍｓ′ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅｉｎｄｅｘｏｎｓｃａｔｔｅｒｉｎｇｉｎｔｅｎｓｉｔｙｏｆ ＳｉＣｐａｒｔｉｃｌｅｉｎｍｉｄｄｌｅｉｎｆｒａｒｅｄｒｅｇｉｏｎ ＸＵＱｉｎｇｊｕｎ，ＺＨＵＡＮＧＳｈｅｎｄｏｎｇ （ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＺａｏｚｈｕａｎｇＵｎｉｖｅｒｉｓｔｙ，Ｚａｏｚｈｕａｎｇ２７７１６０，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＢａｓｅｄｏｎｔｈｅＭｉｅｓｃａｔｔｅｒｉｎｇｔｈｅｏｒｙ，ｔｈｅｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌａｎａｌｙｓｉｓａｎｄｎｕｍｅｒｉｃａｌｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓｏｆＳｉＣｐａｒｔｉｃｌｅ′ｓｌｉｇｈｔ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇｉｎｔｅｎｓｉｔｙａｒｅｃａｒｒｉｅｄｏｕｔ．ｗｅｏｂｔａｉｎｅｄｔｈｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｓｃａｔｔｅｒｉｎｇｉｎｔｅｎｓｉｔｙｉｎａｂｎｏｒｍａｌｄｉｓ ｐｅｒｓｉｏｎｒｅｇｉｏｎａｎｄａｂｎｏｒｍａｌｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎｒｅｇｉｏｎｏｆｍｉｄｄｌｅｉｎｆｒａｒｅｄｂａｎｄ，ｗｈｉｃｈｒｅｖｅａｌｔｈｅｉｎｈｅｒｅｎｔｌａｗｂｅｔｗｅｅｎｉｎｃｉ ｄｅｎｃｅｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ，ｍｅｄｉｕｍｓ′ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅｉｎｄｅｘａｎｄｓｃａｔｔｅｒｉｎｇｉｎｔｅｎｓｉｔｙ．Ｔｈｉｓｒｅｓｅａｒｃｈｒｅｓｕｌｔｐｒｏｖｉｄｅｓａｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌｂａｓｉｓ ｆｏｒｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔａｎｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆｔｈｉｓｍａｔｅｒｉａｌｉｎｍｉｄｄｌｅｉｎｆｒａｒｅｄｒｅｇｉｏｎ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ａｂｎｏｒｍａｌｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ；ｎｏｒｍａｌｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ；Ｍｉｅｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ；ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇｉｎｔｅｎｓｉｔｙ；ＳｉＣ １　引　言 红外区出现异常地强吸收，即发生明显的反常色散 ［７－８］ 自光的色散概念提出以来，对材料的散射特性 现象，同时，也存在正常的色散区 。由Ｍｉｅ散射 的研究与应用与日俱增［１－４］。当材料折射率随入射 理论可知，当由散射体（折射率为ｎ）和基质（折射 １ 波长的增加而减小，色散曲线满足柯西经验公式 率为ｎ）两种成分组成的二元系统中，粒子的散射 ０