同价Mg置换对ZnO基氧化物电子结构与电性能的影响.pdfVIP

第 卷 第 期 高 压 物 理 学 报 , 29 2 Vol.29 No.2 年 月 , 2015 4 CHINESEJOURNALOFHIGH PRESSUREPHYSICS A r. 2015 p 文章编号: ( ) 1000-5773201502-0129-07 同价Mg置换对ZnO基氧化物 电子结构与电性能的影响* , 1 1 23 1 2 2 , , , , , 余小英 李凡生 张飞鹏 房 慧 路清梅 张 忻 ( , ; 1.广西民族师范学院物理与电子工程系 广西崇左 532200 , ; 2.北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室 北京 100124 , ) 3.河南城建学院数理学院 河南平顶山 467036 : , 摘要 采用密度泛函理论平面波超软赝势广义梯度近似方法 系统研究了 置换的 Mg ZnO , 。 基氧化物的晶格结构和电子结构 在此基础上分析了置换氧化物的电学性能 计算分析结果 : , , 。 表明 Mg置换后的ZnO基氧化物其晶格减小 仍为直接带隙材料 带宽 1.2eV Mg掺杂 。 、 、 ZnO体系主要在-40eV能量附近产生新的能带 费米能级附近的能带主要由Mg Zn p p 、 、 、 、 , 。 、 、 ZndO M sZnsOs电子形成 且这些能带之间存在着强相互作用 Zn ZndO 电 p g p p , 。 子形成的能级