3.1半导体的基本知识PPT.ppt

4. PN结的击穿特性 雪崩击穿：随着反向电压增大，电场也增大，电子和空穴在强电场加速下获得很大的动能，与硅原子相撞时，使价电子脱离共价键的束缚，产生新的电子空穴对，新的电子空穴对又产生碰撞，又产生新的电子空穴对，这种连锁反应使载流子数目增加，从而电流增加。 击穿电压6V 齐纳击穿(Zener译音)，又称隧道击穿：杂质浓度很高时，PN结的阻挡层很薄，虽然反向电压只有几伏，但电场强度却很大，强电场可把共价键中的电子拉出，新产生的电子空穴使PN结反向电流激增。击穿电压6V 击穿并不意味着PN结烧坏。 势垒电容：因电荷存储在势垒区得名。 5、PN结的电容特性 势垒电容 ：PN结耗尽层中缺乏载流子，电阻率高，相当于一绝缘介质，它的两侧为P区和N区，其导电率较高，相当于电容器的金属板，耗尽层中存在的不能移动的正负离子相当于存储的电荷，当外加电压改变时，电荷量也改变，即外加反向电压时，电荷量增加；外加正向电压时，电荷量减少，这些现象跟电容的作用类似。因电荷存储在势垒区而得名。 5、PN结的电容特性 扩散电容：载流子扩散引起得电容。 PN结电容： 正偏以扩散电容为主 反偏以势垒电容为主 变容二极管：利用势垒电容制成，工作在反偏状态。 多子扩散运动时，在PN结的N区一侧有空穴的积累，而P区一侧有电子的积累，同样外加正向电压增大时，积累的电子空穴增多；减少时，电子空穴的积累也减少，这一性质用扩散电容CD来描述。 P + - N 小结 通过载流子的两种运动形式——漂移和扩散达到动态平衡和稳定的空间电荷区的建立过程，正确理解它最基本和最重要的特点——单向导电性。 PN结和二极管的单向导电性是构成几乎所有半导体器件的基础。 PN结由P型半导体和N型半导体有机结合形成。 3.3 半导体二极管 一、基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 P N 二极管的电路符号： 二、伏安特性 vD iD 死区电压Vth 硅管0.5V,锗管0.1V。 导通压降VD: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压VBR 门坎电压(死区电压）Vth：通过二极管的电流有一明显值时所加的正向电压。 三、主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压一般是VBR的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向工作电压时(未被击穿）的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管应用时主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。 4. 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 PN结电容： 在高频或开关状态运用时，必须考虑级间电容的影响。 3.4 二极管基本电路及其分析方法 学习要领： 在掌握晶体二极管的外特性——单向导电性的基础上熟练掌握简化电路分析方法。 晶体二极管电路的分析方法 分析方法有： 1.数学模型：计算机求解 2.伏安特性曲线：图解分析法 3.简化电路模型：电路分析方法 4.外加微小增量的响应：小信号电路模型 R D VDD + - 一、晶体二极管数学模型和伏安特性曲线 数学模型： 理想指数模型： 伏安特性曲线： 为晶体二极管的曲线模型，一般实测得到。 Vth VBR 晶体二极管电路的图解分析方法 步骤： 1.将二极管从电路中分离出来 2.写出各自的回路方程 管外电路方程： 二极管伏安特性方程： 3.作各自的特性曲线，交点即为解。 R D VDD + - I I + - V + - V R D VDD + - D + - + - D + - D + - + - 1.理想模型 2.恒压模型 3.折线模型 二、晶体二极管简化电路模型 正向导通压降=0 反向饱和电流=0 正向导通压降 = 反向饱和电流=0 正向导通压降 = 反向饱和电流=0 R D + - + - 三、晶体二极管小信号电路模型 以Q点为切点的切线，其切线的斜率的倒数就是小信号微变电阻rD vD iD Q点称为静态工作点 电路处于直流工作状态，也称静态。 vDD 三、晶体二极管小信号电路模型 则，增量电阻 由 得 显然，rD与静态工作点Q有关。 vD iD P