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超导体MgB2及其制备方法综述 蒋雯 （北京理工大学材料学院材料科学与工程专业，北京 100081） 摘 要：2001年1月所发现的MgB2超导体具有39K的临界转变温度，是迄今为止转变温度最高的非铜氧化物超导体。本文介绍了 MgB2的超导电性、超导机理以及提高其高磁场临界电流密度的途径，综述了它的制备方法。 关键词：MgB2超导体；超导机制；制备方法； 2001年，日本Nagamatsu等发现了迄今为止临界温度最高的金属化合物超导体——MgB2。它有较高的超导转变温度（TC=39K）和临界场，较大的相干长度，并且晶界不存在弱连接，结构简单，成本低廉【１】。因此，全世界科研人员都对它进行了关注和广泛深入的研究，取得了很多研究成果。 本文将介绍MgB2材料的有关性质，论述了它的超导机理以及提高其高磁场临界电流密度的途径，并简要介绍其制备方法。 1 MgB2的超导电性及其超导机制 1.1 MgB2的超导电性 MgB2是具有最高超导转变温度的低温超导体，转变温度高达39.4K，有效载流子为空穴型。MgB2属于第二类超导体（即界面能小于零的超导体）。它的下临界磁场在27～48mT，上临界磁场在14～39T之间，不可逆场在6～35T之间。零场条件下的临界电流密度JC=106A/cm2。与高温超导体相比，MgB2具有更长的相干长度【１】。能带计算表明，MgB2是一种宽能带化合物，价带主要由Mg和B原子的ｓ轨道和ｐ轨道杂化形成的。其中，B-B保持共价键结构，Mg呈离子态，Mg最外层的2个电子都贡献给B使它获得导电性【２】。另外，在目前的研究的压力范围内，随着压力的升高，MgB2的 TC遵循二次方关系或者线性关系而降低。MgB2的热膨胀系数和压缩系数类似，都具有各向异性的特点：c轴对热的反应程度高于a轴。在同样的升温条件下，点阵常数沿c轴的增加大约是沿a轴增加的2倍【２】。 1.2 MgB2的超导机制 1.2.1 以声子为媒介的超导机制 同位素效应研究结果表明，MgB2属于传统的BCS超导体，比较高的德拜温度以及强烈的的电子—声子互相作用导致了较高的转变温度。MgB2中，B的同位素指数α（B）具有比较大的值，而Mg的同位素指数α（Mg）很小（0.02）。因此，与B振动有关联的声子对MgB2的超导电性起着主要作用【２】。有关研究还进一步发现：一方面，MgB2的电阻温度—磁场依赖关系与金属间化合物相符，使其有较大的Δρ/Δρ0,磁阻遵循kohler规律；另一方面，MgB2在超导态时，Hc2（T）曲线在高温和低温时都偏离了线性关系，从而使MgB2有了相对较高的Hc2（T）=16.4T【３】。 1.2.2 空穴载流子理论解释超导机制 有的学者认为，可以用空穴载流子理论来解释MgB2的超导机理。有关霍尔效应的研究表明，其他的金属硼化物，RH一般为负，它们不表现超导电性【３】，而Mg的RH为正，说明MgB2超导体中载流子为空穴。在100K时，载流子浓度为1.5ｘ1023空穴/cm3，在300K的温度下，载流子的浓度为1.7ｘ1023～2.8ｘ1023空穴/cm3，比Nb3Sn和钇钡铜氧的载流子浓度高约2个数量级【２】。 2 提高MgB2磁场下临界电流密度的方法 临界电流密度是决定一种超导材料能否大规模应用的关键特性。薄膜或者块状MgB2在零场下具有较高的临界电流密度，但是在一定的磁场中，MgB2临界电流密度随着磁场强度的增加而急剧减小，表现出较低的不可逆场【２】。提高MgB2的临界电流密度是一个难题，因为当电流通过超导体时会产生电子漩涡，电子漩涡的运动消耗能量，进而破坏材料的超导能力。如果漩涡能钉扎在杂质或者缺陷上并且不影响无阻电流的流动，将可以大大提高临界电流密度【１】。 钉扎机制一般分为两种：一种来源于晶粒内部的短程无序；另一种来源于和晶体结构以及晶界有关的长程不均匀性【１】。因此，可以增加晶体缺陷或者增加晶格界面来增加晶体的钉扎中心以提高MgB2的磁通钉扎能力。具体方法有以下几种： 使用质子束轰击MgB2，以打乱其晶体中原本规则的原子结构，人为制造出缺陷【１】。 对MgB2进行辐射，可以影响TC【１】。 对MgB2在700℃下热处理，使得获得细小的晶粒尺寸，磁通钉扎性能得以善【４】。 在MgB2掺杂其他物质，引入钉扎中心【２】。 3 MgB2的制备技术 由于Mg的熔点只有650℃左右，极容易在空气中挥发和氧化，因此在制备过程中，防止Mg的氧化是得到高纯度、性能优良的MgB2超导体的关键。 3.1 块材的制备 3.1.1 高压合成。李绍春等将Mg粉（98.5%）和超细B粉（99.999%）按摩尔比1:2混合，在N2气氛下研磨均匀，再把混合物压片，用白金箔密封，放入氮化硼管和石墨管中。利用叶蜡石块作为传压介质，在3.0GPa，1000℃条件下烧