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第8章 光刻与刻蚀工艺教材课程.ppt
集成电路制造工艺;第8章 光刻与刻蚀工艺;光刻与刻蚀的定义;ULSI中对光刻的基本要求;§8.1 光刻工艺流程;预烘及涂增强剂;涂胶（旋涂法）;前烘;曝光后烘培;后烘（坚膜）;刻蚀;去胶;§8.2 分辨率(Resolution);光刻胶的组成;正胶与负胶; 对比度;其他特性;§8.4 曝光系统;紫外（UV）光源;深紫外（ DUV ）光源;曝光方式（Exposure）;接触式曝光(contact printer);接近式曝光（proximity printer）; 投影式曝光(projection system);提高分辨率的方法;§8.5 掩膜版的制造;X射线曝光;电子束直写式曝光;§8.6 ULSI对图形转移的要求;湿法刻蚀优缺点;典型薄膜的湿法刻蚀;;§8.8 干法刻蚀;等离子刻蚀的工艺过程;;二氧化硅和硅的干法刻蚀;;聚合物的形成和侧壁保护;§8.9 刻蚀速率;小结
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