第8章 光刻工艺概述4教材课程.pptVIP

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第8章 光刻工艺概述4教材课程.ppt

*; *; *;对CA DUV光刻胶来说,该种光刻胶中含有一种化学保护成份,使其不在显影溶液中溶解. 其曝光的过程,光酸产生剂在光刻胶的曝光区产生一种酸. 而后烘焙可以促进曝光后产生的酸和保护化学成分(t-BOC)反应,使光刻胶溶于显影液; *; *; *; *;驻波效应形成的原因;抗反射膜;曝光后的烘焙在升温的同时,引起了PAC感光剂通过酚醛聚合物在光刻胶中扩散,实质上是穿过驻波的边界产生了一个均匀的效应。 PAC是正胶的主要感光剂,最常见成分是DNQ,它是一种强力的溶解抑制剂。曝光后,会产生羧酸,从而使光刻胶可溶。; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *;光刻胶显影参数; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *; *

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