[物理]第1章电路和电路元件.pptVIP

1.1.2 电压、电流及其参考方向 第1章 上页 下页 返回 稳压管构成的稳压电路 图中R为限流电阻，用来限制流过稳压管的电流。RL为负载电阻。 Ui R ＋ - ＋ - DZ RL ＋ - UO I IL IZ UZ 由于稳压管工作在其反向特性端，因而在反向击穿的情况下可以保证负载两端的电压在一定的范围内基本保持不变。 1.5 双极型晶体管 1.5.1 基本结构和电流放大作用 1.5.2 特性曲线和主要参数 1.5.3 简化的小信号模型 第1章 上页 下页 返回 1.5.1 基本结构和电流放大作用 NPN型 PNP型 C P N N N P P E E B B 发射区 集电区 基区 基区 基极 发射极 集电结 发射结 发射结 集电结 集电区 发射区 集电极 集电极 C 发射极 基极 B E T C NPN B E T C PNP 第1章 上页 下页 返回 晶体管的电流放大原理 IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 公共端 晶体管具有电流放大作用的外 部条件： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 NPN 管： UBE0 UBC0 即 VCVBVE RC B C E 共发射极放大电路 第1章 上页 下页 PNP 管： UBE0 UBC0 即VCVBVE C E B 返回 三极管的电流控制原理 UBB RB IB IC UCC RC N P IE N 发射区向基区扩散电子 电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成IC EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB 第1章 上页 下页 返回 由上所述可知: 由于基区很薄且掺杂浓度小,电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。即： ICIB 或 △IC△IB 第1章 上页 下页 返回 晶体管起电流放大作用，必须满足发射结正偏，集电结反偏的条件。 3 当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用。 1.5.2 特性曲线和主要参数 1.输入特性曲线 IB = f (UBE ) UC E = 常数 UCE≥1V 第1章 上页 下页 返回 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE UBE /V IB/ μA O 理想元件的伏安关系 第1章 上页 下页 返回 R L C u = Ri i = C d u d t u = L d i d t （u与i参考方向一致） 第1章 上页 下页 返回 1.2.4 电气设备的额定值 任何电气设备的电压、电流和功率都有一定的限额 额定值 额定转速 nN 额定电压 UN 额定电流 IN 额定功率 PN 负载设备通常工作于额定状态。 * 电源设备的额定功率标志着电源的供电能力，是长期运行时允许的上限值。 * 电源输出的功率由外电路决定，不一定等于电源的额定功率。 * 1.3 独立电源元件 1.3.1 电压源和电流源 1.3.2 实际电源的模型 1.3.3 两种电源的等效互换 下页 上页 返回 第1章 1.3.1 电压源和电流源 1.电压源 外特性：输出电压与输出电流的关系。 U 第1章 上页 下页 1.端电压始终恒定，等于直流电压 。 2.输出电流是任意的，即随负载(外电路） 的改变而改变。 US 返回 特点： _ U + I US + _ RL I O 1.输出电流恒定不变 2.端电压是任意的,即随负载不同而不同 I U IS ＋ － 2.电流源 RL U=IS.RL I = IS 外特性方程 下页 上页 第1章 返回 特点 I U IS O 分析：IS 固定不变, US 固定不变。 US IR U - = 上页 下页 第1章 返回 Is U=? ＋ － I US + - R 所以： I = Is , 已知：Is ，US ，R 问：I 等于多少？ U 又等于多少？ [例1.3.1] 解：1. Uab = US , 2. 若R 减小为1Ω， 电流源的功率不变！ 电压源的功率 IUs = I – Is=3A 增大！ P = USIUs = 12W I = US R=4A 上页 下页 第1章 返回 为什麽？ 已知：Is ，US ，R0试分析： [例1.3.2] US + b R Is I IUs a - 1A 4V 2Ω I = US R=4