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第三章 光电显示材料 3.1 概述 3.2 光电显示物理基础 3.3 光电显示材料和器件的基本特性 3.4 发光显示材料 3.5 受光显示材料 3.6 光电显示材料的发展前景 3. 三基色荧光粉应满足的条件 (1)在真空紫外区高效发光，是高分辨率显示和高亮度显示的关键。 (2)在同一放电电流时，通过三基色荧光粉发光混合获得白色光。 (3)三基色荧光粉具有鲜明的色彩度。 (4)在真空紫外光和离子轰击下稳定性好。 (5)涂粉和热处理工艺具有稳定性。 (6)余辉时间短。 22 红色 Y2O3: Eu3+ 83 绿色 BaAl12O19: Mn2+ 23 蓝色 BaMgAl14O23: Eu2+ 相对亮度(%) 发光颜色 发光材料 电视显示用三基色荧光粉 4. 三基色荧光粉的转换效率： 一般，一个激发光子照射一个荧光粉颗粒，辐射一个可见光光子。可是，如果激发光子能量为8.55eV，可见光子能量为2~2.8eV，能量转换效率为27%，很低。因此，要研究高能光子转换材料，即能转换2个或更多个低能光子的荧光材料。近年来研究出掺Pr氟化物，这种材料在高能光子激发下能产生多个低能光子。 5. 荧光粉制备：同CRT荧光粉 * 第三章 光电显示材料 3. 1概述 3. 2光电显示物理基础 一、光辐射与光 参数关系: 二、半导体的辐射跃迁 本征辐射跃迁：电子从导带跃迁至价带 直接跃迁和间接跃迁: 直接跃迁几率比间接跃迁几率大得多. 发光器件多采用直接跃迁半导体. 辐射跃迁: 伴随有发射光子的电子跃迁. 2. 激子辐射复合 （1）自由激子 直接带隙半导体 间接带隙半导体 （2）束缚激子 3. 能带与杂质能级之间的辐射跃迁 （1）浅跃迁 （2）深跃迁 4. 施主与受主间的辐射跃迁：被施主束缚的电子和被受主束缚的空穴相复合。 三、半导体的无辐射复合 1. 俄歇复合：由三个载流子（如两个电子和一个空穴或两个空穴和一个电子）的相互作用，即发生碰撞所引起。 2. 表面复合 两种表面态：理想表面引起的，近表面层的能带结构与体内不同； 实际表面的缺陷、杂质 表面能级位于禁带之中 3. 通过缺陷或掺杂物的复合 4. 多声子复合：受激电子的能量转变为晶格振动的能量，需要以较高的几率发射出一定数目的声子。 四、电致发光 发光的分类： 按激发停止后余辉的长短: 荧光: 余辉时间?10-8s 磷光: 余辉时间?10-8s （1）光致发光：受入射光的激发而产生 （2）化学发光：某些化学反应中释放的能量可以转变为光能。 （3）摩擦发光：机械作用所引起的发光。机械压力作用下由于压电效应可以形成局部电场,在局部电场作用下可以发生齐纳击穿,从而产生电子-空穴对, 然后它们 复合时可以发射出光子. （4）阴极射线发光：在高能电子束（阴极射线作用之下固体的发光。 （5）电致发光：在直流或交流电场直接作用下引起的发光。 按激发方式: 2. 电致发光的两种形式: ①由于载流子注入晶体中及随后的复合所引起的(直流低电压). 如p-n结. ②由于粉末材料在强电场(通常是交流电场)作用下通过碰撞电离激发而产生的. 3. 电致发光的机理 （1）注入式发光 ①正向偏置的p-n结 加上正向电压, 使得势垒高度降低而载流子的势能提高,于是可以继续发生载流子的扩散: 空穴从p区注入n 区, 电子从n区注入p区, 即有正向电流通过. 与此同时,在结附近扩散长度范围内, 注入的空穴与n区电子复合而发光. 同样地, 注入电子与p区空穴复合而发光. ②异质结 ?be?bh, 加上正向电压V后p区的空穴较易注入n 区, 并与n区电子相复合而发光, 即n区为发光区. ③肖特基势垒 加上正电压时势垒降低, 有少数载流子从表面反型层流入体积中, 与半导体的多数载流子相复合而发光. （2）碰撞的电离激发 在强电场作用下半导体中电子被加速，与晶格原子或发光中心发生非弹性碰撞作用，同时失去从电场得到的一部分能量。如果每次碰撞损失的能量小于两次碰撞之间由电场所获得的能量，则电子的动能可以逐渐增加直至大于Eg，在这种能量值下出现把能量转交给价带电子或发光中心并产生新载流子的可能性。新载流子与原来电子一样可以被电场加速。在足够强的电场下这些过程的结果可以使载流子数目雪崩般倍增。这时可能会有一部分电子-空穴对复合，并发射出光子。 3. 3光电显示材料和器件的基本特性 一、显示材料特性 发光显示材料：利用光发射直接进行显示。 受光显示材料：利用电场作用下材料光学性能的变化实现显示，通过反射、散射、干涉等现象，对其它光源所发出的入射光进行控制，即通过光交换进行