第八章_化学气相沉积技术.pptVIP

第八章 化学气相沉积技术 ;主要内容;What is the Deposition?;1、基本介绍;2、化学气相沉积的装置;;;; CVD对原料、产物及反应类型的要求 1.反应原料是气态或易于挥发成蒸汽的液态或固态物质。 2.反应易于生成所需要的沉积物而其中副产品保留在气相中排出或易于分离. 3.整个操作较易于控制。;根据反应类型不同分为： 热解化学气相沉积 化学合成气相沉积 a、氧化还原反应沉积 b、化合反应沉积 化学输运反应沉积(可逆反应） 根据激活方式不同分为： 热激活：电阻加热、感应加热、红外辐射加热 等离子增强的反应沉积（PCVD) （PECVD) 激光增强的反应沉积（LCVD) （LICVD) 微波电子共振等子离CVD;;2.1 热解化学气相沉积;2、有机烷氧基的元素化合物，在高温时不稳定，热分解生成该元素的氧化物。 ; 3、此外还有一些金属的碳基化合物（有机烷基金属化合物），本身是气态或者很容易挥发成蒸气经过热分解，沉积出金属或金属氧化物薄膜。例如： ;2.2 氧化还原反应沉积; 2、原料：卤化物（许多卤化物是气态或易挥发的物质） 通入氢气 反应：氢还原反应 产物：卤化物中对应阳离子单质薄膜 ;2.3 化合反应沉积;;2.4 化学输运反应沉积;W(s）+2I2（g） WI4(g）;2、也有的时候原料物质本身不容易发生分解，而需添加另一物质(称为输运剂)来促进输运中间气态产物的生成。例如： ;原料： 是气态或易于挥发成蒸汽的液态或固态物质。 1）低周期元素的氢化物 2）有机烷氧基的元素化合物 3）金属的碳基化合物 4）卤化物;2.5 等离子体增强的反应沉积;等离子化学气相沉积中的优点：;2.6 激光增强的反应沉积;制备薄膜（钨膜）;制备纳米材料;; 用连续输出的CO2激光(10.6μm)辅照硅烷气体分子(SiH4)时，硅烷分子发生热解： 在反应过程中，Si的成核速率大于1014/cm3，粒子直径可控制小于10 nm。通过工艺参数调整，粒子大小可控制在几纳米至100 nm，且粉体的纯度高。 ; 化学气相沉积的特点: ①保形性: 沉积反应如在气固界面上发生，则沉积物将按照原有固态基底的形状包复一层薄膜。 ②如果采用某种基底材料，在沉积物达到一定厚度以后又容易与基底???离，这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。 ③可以沉积生成晶体或细粉状物质，甚至是纳米尺度的微粒。（使沉积反应发生在气相中而不是在基底的表面上） ④可以得到单一的无机合成物质。 ;根据CVD的特点，其主要应用在：;PECVD较普通CVD镀膜的优势： 1)可以低温成膜，对基体影响小； 2)膜厚和成分均匀； 3)膜层对基体的附着能力强； 4)扩大了化学气相沉积的应用范围，特别是提供了在不同的基体上制备各种金属薄膜，晶态无机薄膜、有机聚合物薄膜的可能性。;纳米金 刚石膜; 应用 指标要求;原料： CH4、Ar、H2 、 N2、CO2 反应原理： CH4 → C ＋ H2;PECVD法制备纳米金刚石薄膜设备示意图;1、基体表面预处理工艺对金刚石薄膜形核影响研究; （a）1＃ (b)2＃ (c)3＃ ;2、反应气体的选择;② 以CH4+N2为反应气源制备金刚石膜 ;② 以CH4+N2为反应气源制备金刚石膜 ;② 以CH4+N2为反应气源制备金刚石膜 ;② 以CH4+N2为反应气源制备金刚石膜 ;小结： （1）以CH4+N2为反应气源可制备出晶粒尺寸及粗糙度小于30nm、且膜厚在5μm以上的纳米金刚石膜； （2）以CH4+N2为反应气源较以CH4+Ar+H2为反应气源制备的金刚石薄膜sp2组份含量更高，金刚石物相组成纯度更低； （3）同时以CH4+N2为反应气源时，CH4浓度越高，石墨组份含量会越大； （4）从薄膜物相组成纯度和膜层晶粒尺寸、表面粗糙度、膜层致密性等几方面考虑，适当CH4浓度（5%）下制备的纳米金刚石膜质量更高。 ;3、纳米金刚石膜沉积速率比较;达到的技术指标： 沉积速率1.1μm/h； 金刚石膜厚大于5μm； 平均晶粒尺寸仅为21nm； 表面粗糙度1.6nm； 非金刚石成分含量远低于金刚石。;4.2 化学气相沉积(CVD)制备超细材料 ;纳 米 粒 子 制 备 方 法;气相沉积产物示意图;用SiH4除了能合成纳米Si微粒外，还能合成SiC和Si3N4纳米微粒，粒径可控范围为几纳米至70nm，粒度分布可控制在±