用从头计算方法计算AgInSe2和AgInTe2的振动光谱.docVIP

用从头计算方法计算AgInSe2和AgInTe2的振动光谱 摘 要：用第一原理的线性响应的方法计算了具有黄铜矿结构的AgInSe2和AgInTe2半导体晶体的声子谱和态密度。在布里渊区中心计算的频率和通过使用红外和拉曼光谱获得的实验数据相吻合。根据原子对振动模式的贡献，AgInSe2和AgInTe2晶体的光谱表现出三组频带：所有晶格大致相同的贡献的特性主要集中在低频范围内的振动和在中频范围内的振动，在高频范围内的能带与Ag、CVI原子和In、CVI(CVI=Se、Te)原子的贡献有关。这些能带的位置使我们得出一个推论，即在研究中的晶体，In-CVI能带比Ag-CVI能带强。 PACS numbers: 63.20.dk, 71.15.Mb, 71.15.Nc DOI: 10.1134/S1063783409100217 1、引言 晶体结构的AgInSe2和AgInTe2是属于一大类黄铜矿结构AIB III的化合物，这显示出在各种光电子器件的设计上具有技术性能上的吸引力。这一类晶体，例如CuInSe2、 CuGaSe2、 CuInS2、 AgGaSe2和AgGaSe2，是在市场上广泛销售的，并且已发现其在非线性光学器件和太阳能电池的制造的应用。最近几年，这类的其他化合物，包括AgInSe2和AgInTe2，引起了极大的兴趣。特别是，El_Korashy等人调查了AgInSe2和AgInTe2晶体以薄膜的形式生长的光学光谱。据透露，该AgInSe2和AgInTe2化合物的直接带隙分别等于1.21和1.16 eV，这是在与其他数据协议和表征它们作为合适用于将太阳能转换装置的材料。这个一般的结论是由AgInSe2化合物[2, 3]的光导的直接调查证实的，这表明其具有良好光电特性和吸收系数。我们可以获得AgInSe2化合物的光学功能和光致发光光谱，并且在[4, 5]中用经验赝势的方法计算其能带结构。Díaz等人进行了AgInTe2化合物的X-射线结构分析。在[7-9]中研究了一组该化合物的电学和热学性能。 只有在很少的文献中对AgInSe2 和 AgInTe2晶体的振动结构进行了实验研究，如在[10, 11]中实验研究了AgInSe2 和在[10-12]中实验研究了AgInTe2。Kanellis和Kampas[10]用红外光谱研究了这两种晶体。Ohrendorf和Haeuseler[11]试图通过已知的频率从振动模型具有对称性E,B1和B2与闪锌矿晶格的振动的关系上，用来确定未知的频率。Jagom?gi等人[12]测量了AgInTe2多晶试样的拉曼光谱。 除了实验研究，在借助于现象学方法[13, 14]的这些化合物中，晶格动力学的两种理论研究在文献中广泛存在的。在[13]中首次运用刚性离子模型计算出AgInSe2和AgInTe2化合物的声子光谱和态密度。根据Ohrendorf和Haeuseler[14]的短程力场模型计算AgInSe2化合物的长波振动。本工作的目的是利用基于密度泛函理形式的现代高效计算方法，调查AgInSe2和AgInTe2晶体的声子谱。 2、计算方法 采用使用在PWSCF程序包[16]上实施平面波基组的线性响应法(密度泛函微扰理论[15])和赝势方法计算声子模式。在局域密度近似的框架中应考虑交换相关效应。 如已知的，在电子和动态属性的计算的精确度取决于一个电子波函数的表示的精确度。在所研究的化合物的组合物中，In、Se和Te元素因结晶轨道的一个令人满意的准确扩张，鉴于其价轨道的扩展特性，并不需要大量的平面波。然而， AIBIII族化合物的特点是I族原子(Ag，Cu)的d状态和阴离子的p状态的杂交，因此，在赝势中必须要纳入Ag的4d和Cu的3d的部分状态。在[17, 18]中，它使用CuInS2和CuAlSe2化合物作为示例显示出，通过使用模守恒赝势的方法，得以提供动态参数的良好收敛性，有必要增加平面波的截止能量Ec到90 RY。在[17, 18]中，对CuInS2和CuAlSe2化合物的频率计算只在Γ点，即布里渊区的中心。我们的测试计算表明，当使用的截止能Ec=90 RY时，Γ点的高对称性使得它可以用合理的计算成本进行在长波限制下的声子计算。然而，对于使用模守恒赝势的AIBIII型化合物的声子色散关系的完整的计算是相当费力的。 随着减少对计算资源的要求和由于PWSCF程序包的功能，以不同类型的赝势进行计算的目的，我们使用了Ag原子的(非模守恒)赝势和In、Se和Te原子的模守恒赝势，这是根据在[19]中包含对于交换-关联势的修正[20](非线性校正的核心)的非线性描述的方法获得的。这种选择使我们能够大幅降低具有一个高准确度的截止能量Ec，并利用带有动能的平面波可以使在电子波函数的扩展