第三章 薄膜制备的物理方法-2.pptVIP

第四节 外延生长 在温度方面，温度最高的是液相外延生长法，温度最低的是分子束外延生长法，有机金属化学气相沉积法居中，接近分子束外延。 生长速率方面，液相外延方法的生长速率最大，而有机金属化学气相沉积方法次之，分子束外延方法最小。 所获得膜的纯度方面，液相外延法生长膜的纯度最高，而有机金属化学气相沉积和分子束外延方法生长膜的纯度次之。 第四节 外延生长 总结 第一节 真空蒸发 基本条件 物理原理 蒸发方法 第二节 溅射 溅射原理 溅射装置 第三节 离子束和离子助 第四节 外延生长 MBE LPE HWE MOCVD * * * * * 第四节 外延生长 单晶：结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地、周期性地排列，或者说晶体的整体在三维方向上由同一空间格子构成，整个晶体中质点在空间的排列为长程有序。 第四节 外延生长 一、分子束外延（MBE ） 二、液相外延生长（LPE） 三、热壁外延生长（HWE ） 四、有机金属化学气相沉积（MOCVD ） 第四节 外延生长 一、分子束外延（MBE） 第四节 外延生长 1969年，Bell实验室的J.R.Arthur命名的，主要用于开发Ⅲ-Ⅴ族半导体的外延生长法。 定义： 是在超高真空条件下精确控制原材料的中性分子束强度，并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。 分子束外延生长设备 第四节 外延生长 第四节 外延生长 例：分子束外延生长GaAs GaAs衬底的制备；切割的单晶，经机械研磨，化学机械抛光处理后，再装入分子束外延炉前，再经化学腐蚀、清洗、干燥。通常发现有碳和氧的沾污，加热衬底，可以很容易地除去氧，但碳很难除去。进一步采用离子轰击的办法除碳。 外延生长时，首先将生长系统抽空，并对所有源进行加热排气处理，然后稳定在各自操作温度下。待真空度达到要求后，对衬底进行处理，并保持在生长温度下，随后便可以打开喷射炉闸门进行外延生长。 第四节 外延生长 第四节 外延生长 特点： 第四节 外延生长 ①由于系统是超高真空，因此杂质气体（如残余气体）不易进入薄膜，薄膜的纯度高； ②外延生长一般可在低温下进行； ③可严格控制薄膜成分以及掺杂浓度； ④对薄膜进行检测分析，从而可以严格控制薄膜的生长及性质。 问题： ①设备昂贵 ②维护费用高 ③生长时间长 ④不易大规模生产等 第四节 外延生长 二、液相外延生长（LPE ） 第四节 外延生长 1963年，内尔逊（Nelson）提出来的一种从饱和溶液中，在单晶衬底上生长外延层的方法，是液相外延初期使用的方法。 第四节 外延生长 液相外延生长方法和装置 倾斜法。使用由Nelson研制的倾动式炉。 缺点： 有时溶液和生长晶体表面分离的不完全，有部分溶液粘附在生长层的表面上，并且生长层的厚度和均匀性难以控制。 第四节 外延生长 浸渍法 第四节 外延生长 为了改进溶液与衬底的接触和防止溶液内发生“组分过冷”而出现不稳定生长，又开展了浸渍法的研究。这种方法是1969年提出来的。 缺点： 倾斜法和浸渍法所使用的设备简单，易于操作，但用这两种方法进行多层外延生长时，则需要很复杂的设备，同样，浸渍法生长的外延层厚度也不容易均匀，因此又发展了滑动舟法。 第四节 外延生长 滑动舟法 第四节 外延生长 滑动舟是目前液相外延使用的主要方法，是1971年帕尼斯(Panish)提出来的。适用于单层、多层液相外延生长。 第四节 外延生长 第四节 外延生长 第四节 外延生长 第四节 外延生长 优点： ①生长设备比较简单； ②纯度比较高，生长速率快； ③组分和厚度都可以比较精确地控制，重复性好； ④掺杂剂选择范围比较广； ⑤外延层的位错密度，通常比它赖以生长的衬底要低； ⑥操作安全，没有反应气体和反应产物所造成的危险，如毒性和强腐蚀性等。 第四节 外延生长 三、热壁外延生长（HWE） 第四节 外延生长 实质上是一种真空蒸发淀积外延生长技术。 例：Sadeghi等人在SrF2基片上，热壁外延生长了原子配比可控的外延GaAs膜。系统中，多晶GaAs源放在石英管的底部，在石英管上半部的纯Ga是用于调整GaAs的化学配比和生长速率，用于掺杂的源放在管内，由单晶SrF2基片作为半封闭盖。 GaAs源900~925 ℃；Ga源850~950 ℃，系统中的许多辐射屏蔽板用以防止管壁过热。 第四节 外延生长 优点： ①蒸发材料的损失保持在最小； ②生长管中可以得到洁净的环境； ③管内可以保持相对较高的气压；