第10章 光电测量技术知识 检测技术知识与仪器 工程测试技术知识 .pptVIP

;;; 物体表面受到光的照射，表面内的电子与光子碰撞，发生能量转移，光子把全部能量转移给电子，使电子的能量增加。如果电子的能量超过逸出功A0时，电子就逸出物体表面产生光电发射。如果不考虑电子热运动的能量，产生光电发射的条件是：光子能量h·f超过表面逸出功A0。光子能量超过表面逸出功的部分，表现为电子的能量。;爱因斯坦光电方程说明光电发生服从以下定律： 1）物体表面发射的电子数(光电流)与光强成正比； 2）光电子的动能随光的频率成正比的增加，而与光强无关； 3）要使光电子逸出物体表面，必须 h·fA0。对于每种物体都存在一个极限频率，当入射光的频率低于这个频率时，无论光强多强，都不会有光电子发射出来。; ②光电管的光照特性 当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时， 光通量与光电流之间的关系为光电管的光照特性。 氧化铯阴极光电管的光照特性呈线性关系。 锑化铯阴极光电管的光照特性呈非线性关系。 光电管的灵敏度:光照特性曲线的斜率。; ③光电管的光谱特性 材料不同的光电阴极光电管有不同的红限频率v0，可用于不同的光谱范围。 光电管的光谱特性:光电管对不同频率光的敏感度。 对不同波长区域的光，应选用不同材料的光电阴极。 ;;;; ③暗电流和本底脉冲 一般在使用光电倍增管时，必须把管子放在暗室里避光使用，使其只对入射光起作用；但由于环境温度、热辐射和其它因素的影响。即使没有光信号输入，加上电压后阳极仍有电流，这种电流称为暗电流。这种暗电流可用补偿电路加以消除。; ;;;1:硫化镉、 2:硫化铊、 3:硫化铅。; ⑤时间常数 当光敏电阻受到光照时，光电流要经过一定时间才能到达稳定值。同样，光照停止后，光电流也要经过一定时间才能恢复到暗电流。 光敏电阻的光电流随光强度变化的惯性，通常用时间常数τ表示。 时间常数反映了光敏电阻对光照响应的快慢程度。不同材料的光敏电阻有着不同的时间常数。 ; 硫化铊光电池、硫化镉光电池、锗光电池、硅光电池、砷化镓光电池等。 其中硅光电池和硒光电池用途广泛。 ; ; 硅光电池的光谱范围广，即为4500~11000 之间，硒光电池的光谱范围为3400~7500 。因此硒光电池适用于可见光，常用于照度计测定光的强度。; ; ; 开路电压随温度升高而下降的速度较快; 短路电流随温度升高而缓慢增加。 当用光电池作测量元件时，在系统设计中应考虑到温度的漂移，采取相应的措施来进行补偿。 3 光敏二、三极管 1)光敏二极管 (1) 结构和工作原理 光敏二极管又称光电二极管，与普通二极管在结构上是类似的。 ;做得较大，而管芯上的电极面积做得较小，PN结的结深比普通半导体二极管做得浅，这些结构都是为了提高光电转换的能力。与普通硅半导体二极管一样，在硅片上生长了一层二氧化硅保护层，它把PN结的边缘保护起来，提高了管子的稳定性，减小了暗电流。;; ② 暗电流 暗电流：光敏二极管在无光照、最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。 ; ⑤响应时间 表示光敏二极管将光信号转换成电信号所需要的时间。响应时间越短，说明光敏二极管将光信号转换成电信号的速度越快，也就是光敏二极管的工作频率越高。 ⑥结电容 指光敏二极管中PN结的结电容。结电容越小，发光二极管的工作频率就越高。 ⑦ 正向压降 指给光敏二极管以一定的正向电流时，光敏二极管两端的电压降。它反映了光敏二极管正向特性的好坏。 ⑧ 光谱范围和峰值波长 不同材料制成的光敏二极管有着不同的光谱特性，反映了光敏二极管对不同波长的光反应的灵敏度是不同的。 峰值波长:光敏二极管反应最灵敏的波长。 ; 2) 光敏三极管 (1) 结构和工作原理 光敏三极管:PNP型和NPN型。; (2) 光敏三极管的主要特性 ①光敏三极管的光谱特性 光敏三极管存在一个最佳灵敏度的峰值波长。当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。 ;③光敏三极管的光照特性 光敏三极管的输出电流I和照度之间的关系，它们之间呈近似线性关系。当光照足够大（几千勒克斯）时，会出现饱和现象，从而使光敏三极管既可作线性转换元件，也可作开关转换元件。; ④光敏三极