能级耦合在共振隧穿中所表现出若干特点.docVIP

能级耦合在共振隧穿中所表现出若干特点 　　摘要：本文通过传输矩阵的方法，从理论上模拟了电子共振隧穿过程中，量子阱中间势垒对量子阱之间的能级耦合所产生的影响，并分析了能级耦合在共振隧穿中所表现出的若干特点。并得到如下结论：中心势垒厚度和第二个量子阱的宽度是影响透射强度和能级的主要参数。 　　关键词：共振隧穿；能级耦合；传输矩阵；量子阱；中间势垒 　　 　　一、引言 　　 　　经典力学的理论认为，当粒子的动能小于势垒高度时，粒子不可能从势垒的一边翻越势垒到达另一边，它会被反射回来。不过在量子力学中，我们发现一般情况下，尽管粒子的动能并不足以让它从势垒顶部翻越势垒，但它们仍然有可能穿越势垒到达势垒的另一边。我们把这种粒子穿越比自己动能更高的势垒的现象称为“隧穿效应”。 　　电子的隧穿效应在实际应用中有很重要的价值，它是研究半导体器件的基础。计算隧穿电流，研究隧穿器件的伏安特性等问题的关键就在于如何计算电子穿越势垒的透射系数。计算透射系数的理论重点就在于如何求解一维定态薛定谔方程。事实上，适用解析方法精确求解的一维定态薛定谔方程非常有限，相比而言用传递矩阵求解具有适用范围广，使用简单，能够快速精确地得到数值解等特点。 　　本文利用传输矩阵技术，对电子共振隧穿双量子阱的情况进行了数值模拟，并且分析了中间势垒的厚度对于能级耦合引起的透射强度和透射能级的影响。 　　 　　二、模拟及结果讨论 　　 　　 由传输矩阵的基本理论有如下定义，其中 为透射几率， 为透射振幅， 为入射振幅。 　　 　　我们保持两边势垒厚度为2nm,势垒高度为0.2625eV，中心势垒宽度为6nm,势垒高度为0.225eV，其中第一个势阱的宽度为1.5nm，第二个势阱宽度分别为1nm,1.25nm,1.5nm和2nm。在此基础上进行数值模拟，得到图1所示的透射谱结果。 　　 　　由图1可以看出，其中一个阱的峰位没有变化，另外一个阱的峰位变化分别为0.239eV,0.221eV,0.200eV和0.171eV。随着量子阱的阱宽变化，两个阱的能级也会变化。当量子阱的阱宽为1.5nm时，两个阱的能级很接近，共振隧穿现象得到增强。当两个量子阱的阱宽完全相同时，共振达到最大。而当量子阱的阱宽继续增大时，耦合减弱。中间势垒的宽度变化对透射几率有着类似的影响。 　　可以改变中间势垒的厚度来研究势垒层所起的作用。根据数值模拟的结果可以发现，当中间势垒宽度小于3nm时，随着势垒厚度的减小，能级趋近于一个量子阱宽度为3nm的能级。此时中间势垒对大量子阱的能级产生微扰。并不能把一个量子阱一分为二。否则，它们之间的耦合将会很强，应该接近1.5nm量子阱的能级。当中间势垒层大于4nm时，系统的基态和第一激发态的能级比较接近，它们之间的耦合也比较强。当中间势垒层达到5nm时，模拟结果显示两个小量子阱的阱宽相同时，透射峰的半高宽度比较大，这显示了在基态和激发态的能级之间也存在耦合现象。否则，如果仅在两个小阱的基态能级之间存在耦合，那么透射峰的半高宽度应该很窄。 　　可见，在三势垒系统中，其透射特性受到比较复杂的能级之间耦合的影响。这其中包括两个量子阱之间最临近的能级之间的耦合，量子阱基态能级和激发态能级之间的耦合等等。 　　可以在阱中引入势垒来调制隧穿结构的特性，改变势垒在阱中的位置和高度来研究其对透射几率的影响。这对于设计隧穿半导体器件具有一定的意义。在理论模拟中，控制量子阱的宽度为8nm，其势垒高度为Al含量0.4的AlGaAs,量子阱采用GaAs材料。 　　下面我们研究Al含量0.2的AlGaAs的量子阱的透射特性，通过数值模拟可以发现，将势垒加在势阱中心后，第一共振能级与第二共振能级的耦合程度发生改变，它们的间距缩小，透射几率几乎达到100％。而与中心插入相比，非对称插入后能级间距有一定程度得增大，但透射几率显著减小。造成这种情况的原因是，非对称对波函数的耦合产生影响，导致透射几率减小。同时还可以发现，中心插入势垒的宽度对系统的透射几率强度并无影响，电子在共振能级能够全部透过。这是因为在势阱中心插入势垒后，会形成两个能级一致的量子阱，形成共振隧穿。而不对称插入时，如果两个量子阱之间的能级差别不大就会形成不完全隧穿。插入势垒的高度低于势垒层的高度，两个分开的量子阱限制性减弱，共振能级总是偏移向低能方向。在非对称情况下，形成的窄量子阱的能级向高能方向漂移，形成的宽量子阱的能级则向低能方向漂移。这里要强调一点，当其他条件相同时，中心势垒的宽度增加导致对共振能级发生改变，显然，这是由于中心势垒的厚度对系统能级产生影响。 　　我们有必要进一步理解隧穿结构中的载流子动力学过程。这就需要对载流子隧穿中心势垒的时间进行分析。根据Choe的理论，如果两个量子阱的能级