la0.67ca0.33mn1xfexo3薄膜的制备及物性研究-preparation and physical properties of la 0.67 ca 0.33 mn 1xf exo 3 thin films.docxVIP

第一章绪论1.1引言钙钛矿型结构的锰氧化物在理想状况下是立方结构，但由于某些外界因素的影响导致此类锰氧化物的晶体结构经常发生畸变，一般情况常见的是畸变成正交(orthorhombic)或菱面体(rhombohedral)对称性。一般认为晶格畸变的主要原因有两个：一是B位Mn离子的Jahn-Teller效应引起MnO6八面体畸变，即Jahn-Teller畸变，是一种电子－声子相互作用；另一个原因是A、B位离子平均半径的差异，有一定的匹配差异，造成内应力分布不均。正是由于这种畸变为钙钛矿型锰氧化物提供了丰富的电磁性质[1,2]。此类材料显现出超导、绝缘、铁电、铁磁等多种性质,这使得这类氧化物薄膜的应用覆盖了很宽泛的领域。由于物理和应用方面的兴趣,近年氧化物薄膜的研究成为凝聚态物理和材料研究的新热点[3-5]。多层膜技术可以在纳米级尺度调整样品的成分变化,具有人工可调节的异质材料界面。在金属与半导体多层膜材料样品中展现了许多新奇的性质。然而,目前氧化物多层膜的研究仍局限于有限几种材料。在多层膜的研究中如果可以实现材料的异质外延生长,则可制备出超晶格样品。高温超导氧化物超晶格样品在超导物理研究中发挥了很好的作用[6]。巨磁电阻的发现更进一步推进了科学家对钙钛矿氧化物的发展，1988年Fert等人[17]在常温下发现（Fe/Cr）n金属多层膜中磁电阻效应可达40%，在不同的金属多层膜随后科学家也发现了该效应[7-10]。在磁性金属多层膜中发现的磁电阻效应通常被人们称为巨磁电阻效应。自旋相关的界面散射[11]被公认为金属多层膜中的巨磁电阻效应的根本。现在，世界各大硬盘厂商广泛将GMR效应应用在磁记录、磁存储以及读写磁头上。1993年，德国西门子公司的VonHelmolt等人[12]在类钙钛矿结构La-Ba-Mn-O薄膜超过了60%的磁电阻效应被在室温条件下发现，随后不久美国的IBM公司的Jin[13]等在77K时，高达-12700%材料，在基片LaAlO3（100）上生长的La-Ca-Mn-O薄膜被发现。1994年美国NVE公司首先实现了将巨磁电阻材料的产业化。NVE公司生产和销售灵敏度高、热稳定性好的巨磁电阻磁场传感器可广泛应用于电机、电子、电力、能源、汽车、磁信息读写及工业自动控制等领域。科学家将这种具有更大的巨磁电阻效应的材料称为庞磁电阻材料，这种效应就被称作特大磁电阻效应，而且此类材料包含的物理含义非常丰富，因此研究者就开始非常重视庞磁电阻体系材料的相关物性、理论解释以及磁电阻相关性质。什么导致了磁电阻效应，它真正的根源是什么，虽然有很多研究者提出了不少理论有关的理论解释，但只是部分的物理现象能被解释清楚，并不适用与所有的物理现象。物理本质的解释为众多研究者提供了很大研究空间，同时它的巨大的应用前景也具有重大研究价值。钙钛矿结构氧化物薄膜材料相对于体材料拥有自己多方面的优势。首先，薄膜材料相对于体材料体积小，这样就使薄膜材料更易于制备，同时随着激光技术和纳米技术的发展，薄膜材料的制备技术方面日渐趋于成熟，可以实现薄膜的高度择优取向生长或外延生长。薄膜的制备技术也呈现出多样化的态势，脉冲激光沉积、磁控溅射、金属有机物化学气相沉积、溶胶凝胶等多种物理和化学方法都成功的制备出各种不同性质的薄膜材料；其次，薄膜材料顺应了半导体工艺高集成化的需求，微电子技术、光电子技术以及传感器技术的发展对材料提出了小型、轻量方向发展。正是由于这些符合现代需要的优势，推动了科学界对钙钛矿型锰氧化物薄膜的研究，也要求我们制备出更多性能好的薄膜。1.2磁电阻效应磁电阻效应磁电阻效应(MagnetoresistanceEffect，简记为MR)，是指外在外加磁场作用下，材料的电阻率随之发生变化。材料在外加磁场为零时的电阻率为R(T,0)，那么有磁场H的作用时，电阻率变为R(T,H)，这种在磁场作用下物质材料的电阻率发生的变化称为磁电阻效应，其大小可定义为：MR=R(T,H)?R(T,0)×100%R(T,0)（公式1-1）其中T表示温度，H表示外加磁场，则在磁场作用下引起的电阻率变化可表示为ΔR=R(T,H)-R(T,0)。磁电阻介绍正常磁电阻效应(OrdinaryMagnetoresistance，OMR)正常磁电阻效应是电子在磁场作用下的洛伦兹力所引起的。在外加磁场下，洛仑兹力作用于电子而使电子作螺旋运动，同时运动方向也可能在库伦场中发生偏转，从而电子的散射几率被增加了不少，电阻率也由于这些原因而上升，这基本与电子自旋没有关系[14]。这种磁电阻的值一般都比较小，约为2%一5%。各向异性的磁电阻效应(AnisotropyMagnetoresistance，AMR)各向异性磁电阻（AMR）效应是，指在铁磁金属和合金中，平行于电流方向的磁场的电阻率和垂直于电流方