传感器原理及应用技术(第二版)教学课件第3章应变传感器.ppt

3.1.1 应变片的结构和类型 1. 应变片的结构和类型 应变片的结构和形式是多种多样的。图3.1所示的应变片结构主要由四部分组成： 电阻丝（敏感栅）1,它是应变片的转换元件；基底和面胶（覆盖层）2,基底是将传感器弹性体的应变传递到敏感栅1的中间介质,并起到电阻丝和弹性体间的绝缘作用,面胶起着保护电阻丝的作用；粘合剂3,它将电阻丝与基底粘贴在一起；作为连接测量导线之用的引出线4。 2. 电阻应变片的分类 电阻应变片的分类方法很多,常用的方法是按照制造应变片时所用的材料、工作温度范围以及用途不同来进行分类。　　　　 　　（1）按应变片敏感栅的材料不同，应变片可分成金属应变片和半导体应变片两大类。其中，金属应变片又分为体型（箔式、丝式）和薄膜型；半导体应变片又分为体型、薄膜型、扩散型、PN结型及其他型。 　　（2）按应变片的工作温度不同，应变片可分为常温应变片（-30～60℃）、中温应变片（60～300℃）、高温应变片（300℃以上）和低温应变片（低于-30℃）等。 　　（3）按应变片的用途不同，应变片可分为一般用途应变片和特殊用途应变片（水下、疲劳寿命、抗磁感应、裂缝扩展等)。 3.1.2 几种常用应变片 1） 丝式应变片 丝式应变片的基底材料可分为纸基、胶基、纸浸胶基和金属基等。丝式应变片的电阻丝直径为0.02～0.05 mm,常用的为0.025 mm；电流安全允许值为10～12 mA和40～50 mA；电阻值一般应在50～1000 Ω范围内,常用的为120 Ω；引出线使用直径为0.15～0.30 mm的镀银或镀锡铜带或铜丝。 3） 半导体应变片 半导体应变片是利用半导体的压阻效应制成的一种转换元件。它与金属丝式应变片和箔式应变片比较,具有灵敏系数高（比金属应变片的灵敏系数大50～100倍）、机械滞后小、体积小以及耗电量少等优点。 半导体应变片的电阻温度系数大,非线性也大。这些缺点不同程度地制约了它的应用发展。不过,随着近年来半导体集成电路工艺的迅速发展,相继出现了扩散型、外延型和薄膜型半导体应变片,使其缺陷得到了一些改善。 3.2.1 薄膜分类 薄膜有两种分类方法： 按薄膜厚度分类和按薄膜结构形式分类。 1. 按薄膜厚度分类 （1） 非连续金属膜。这种膜的厚度小于10-8m,膜面呈一个个相互孤立的小岛,它们之间没有通道,其导电作用是由隧道效应所实现的。这种膜形成的应变片阻值很高,灵敏度也很高,但性能极不稳定。 （2） 半连续膜。这种膜的厚度在10-8～2×10-8m之间,膜面呈不连续的岛状,各岛之间有若干通道。 　　（3）连续膜。这种膜的厚度一般大于2×10-8m，膜面上基本看不到岛状结构。这种膜的稳定性远远高于前两种，力敏元件均采用这种膜。  （2） 单晶体薄膜。用外延生长方法获得的半导体薄膜均属单晶体薄膜。外延生长法已广泛应用于制造各种半导体器件和集成电路。该方法已十分成熟。用该方法获得的硅薄膜,因基片是单晶,所以生长出的薄膜也是单晶。 （3） 无定形薄膜。用各种方法获得的金属氧化物介质薄膜一般都是非晶态,这就是所谓的无定形薄膜。在一定条件下,如基底温度很低,则也可形成半导体的无定形薄膜,如无定形硅薄膜等。目前用于制造敏感元件和传感器的薄膜,大都是金属（包括合金）或半导体薄膜,而氧化物介质薄膜通常用作绝缘层。 3.2.2 薄膜的工作原理 薄膜的工作原理是基于材料的压电阻特性（即应力的变化会引起电阻的变化）。电阻变化的原因是当材料受到应力（或力）作用之后,电阻元件尺寸和材料电阻率发生了变化。材料电阻率发生变化是由于应力对电子自由程的影响。一般应力测量是采用金属线和金属片作为电阻元件,并将其接入惠斯顿电桥的某一臂来测量电阻变化,从而得知应力的大小。但金属片必须贴在需要测量的表面上,这样就限制了测量的精度（因为应力不可能完全传送至金属片）,同时也限制了这种传感器的最大工作温度。薄膜应力传感器可克服这些缺点。因为薄膜应力传感器是由直接淀积在需要测量的表面上的压电电阻薄膜组成的,通过对应力相对不敏感材料（如Au或Al等）的厚膜电阻电极,可以实现对应力敏感电阻器的接触。 3.2.3 薄膜应变传感器的特点 薄膜应变片及传感器与扩散硅等传感器相比,其制造工艺环节要少得多。它的主要制造工艺环节是成膜工艺（如溅射、蒸发等）。由于工艺环节较少,工艺周期较短,成品率也就较高。这是它目前获得广泛使用的主要原因之一。 薄膜应变片可以同弹性体键合在一起,构成整体式薄膜传感器；也可以制成单一的薄膜应变片,再粘贴在弹性体上构成传感器。前者使用最多,它可避免后者因粘片工艺所带来的误差因素（如蠕变、滞后等）。 用薄膜