2010-第2章 晶体管开关及门电路 [兼容模式].pdfVIP

第2章 晶体管开关及门电路 引言引言 在数字电路中，一般用高电平代表1、低电平代表0， 即所谓的即所谓的正逻辑系统正逻辑系统。 正逻辑逻辑 V cc 11 只要能判断高只要能判断高 低电平即可 0 0V 门电路门电路 • 用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路 • 在门电路中，以二极管、三极管、场效应管的导通、 截止引起的电平高截止引起的电平高、低代表二值逻辑的低代表二值逻辑的11、00。 • 本章在介绍晶体管开关特性基础上具体介绍常用的 逻辑门电路逻辑门电路，，重点介绍重点介绍TTLTTL及及CMOSCMOS集成门电路的集成门电路的 基本原理和主要外特性。 22.11 晶体管的开关特性及简单门电路晶体管的开关特性及简单门电路 数字集成电路绝大多数都是由双极型二极管数字集成电路绝大多数都是由双极型二极管、三三 极管或单极型场效应管组成。这些晶体管大部分工作在 导通和截止状态，相当于开关的“接通”和“断开”。 电子开关电子开关 数字集成电路绝大多数都是由双极型二极管、三极 管或单极型场效应管组成。这些晶体管大部分工作在导 通和截止状态，相当于开关的“接通”和“断开”。 理想开关 22.11.11 二极管的开关特性二极管的开关特性 静态开关特性静态开关特性 ： 什么条件下导通什么条件下导通，，什么条件下截止什么条件下截止 。。 动态开关特性 ： 导通与截止两种状态之间转换过程导通与截止两种状态之间转换过程 的特性。 1、晶体二极管静态开关特性 （1）二极管正向导通时的特点及导通条件 二极管正向导通时的等效电路 A.VON ：门槛电压或称阈值电压、开启电压 BB.VVD ：：导导通压降通压降 V =0.7V视为硅二极管导通的条件 D 1、晶体二极管静态开关特性 （2）二极管截止时的特点及截止条件 二极管截止时的等效电路 A. 截止条件：VRVON B. 实际：VR ≤0，保证二极管可靠截止 C. V ：二极管的反向击穿电压 ZZ D. IS ：二极管的反向漏电流 2、晶体二极管动态开关特性 动态过程（过渡过程）：二极管导通与截止转换的过程。 t 反向恢复时间：二极管 re 从导通到截止所需时间。 二极管两端输入电压的频 率过高率过高，，以至输入负电压以至输入负电压 的持续时间小于它的反向 恢复时间时，二极管将失 去其单向导电性。 3、二极管的开关参数 反向恢复时间tre ： 二极管从导通到截止所需 时间。 零偏压电容零偏压电容： 指二极管两端电压为零时指二极管两端电压为零时， 扩散电容和结电容的容量之 和。 2.1.2 双极型晶体管的开关特性 1、三极管的静态开关特性 三极管具有饱和、放大和截止三种工作状态，在 数字电路中，静态主要工作于饱和和截止状态 。 NPN型硅三极管开关电路及其特性 1、三极管的静态开关特性 （1）三极管的截止状态和可靠截止的条件 当v 很小，如v 0.5V时 ： I I A：v 小于开启电压，B－E 间，C－E间都截止 BE BB. C.三极管工作在