第七篇 章 外延 硅集成电路工艺基础.ppt

第七章 外延 ;如图所示，CMOS器件是做在很薄的轻掺杂p型的外延层上。;气相外延的基本原理 外延层中的杂质分布 低压外延 选择外延 SOS技术 MBE（分子束外延） 外延层厚度和电阻率的测量;7.1 硅气相外延的基本原理;7.1.2 外延薄膜的生长模型; 薄膜生长是依靠晶体表面台阶的横向运动进行的，即为二维层状生长模型。 高质量的外延生长需要非常清洁的硅表面。因为外延是横向生长的，晶体表面的杂质会阻碍生长，进而在薄膜上产生层错或位错缺陷。;在高生长速率的情况下，吸附原子没有足够的时间迁移到扭转点，会形成多晶； 随温度升高，硅原子表面迁移率增强，在与其他吸附原子形成硅串之前就已经到达了扭转点，易形成单晶。 在固定淀积温度下，存在一个最大淀积率。超过最大淀积率，会生成多晶薄膜；低于最大淀积率，生成单晶外延层。 高温低生长速率时，易生长单晶；而低温高生长率易生成多晶。 ; 维持单晶生长的最大淀积率随温度升高呈指数上升，如图，可求出激活能为5eV。 5eV的激活能相当于硅的自扩散激活能。由此，我们可以说单晶外延生长与硅自扩散的机制是相同的。;上节课内容小结;3. TEOS与臭氧混合源的二氧化硅淀积;上节课内容小结;上节课内容小结;上节课内容小结;上节课内容小结;上节课内容小结;上节课内容小结;上节课内容小结;上节课内容小结;7.1.3 化学反应过程;如图所示， SiCl4浓度随水平距离的增加而减小，其他三种成份浓度随离入气口的水平距离增加而上升 。; 所有的反应都是可逆的，在适当的热力学条件下，反应可以逆向进行。硅也会在氯硅烷环境中被腐蚀掉。 右图给出的是SiCl4氢还原法外延过程中生长速率与温度的关系。 腐蚀在高温和低温时发生，而外延生长只有在中间温度才会发生。;7.1.4 生长速率与温度之间的关系;低温区(A区)：生长速率对温度变化非常地敏感。生长速率是由表面化学反应控制，化学反应激活能约为1.5eV，与所使用的硅源无关，说明控制反应速率的机制相同。研究认为限制机制是反应表面对氢的解吸。氢占据硅表面位置，如果不被排除，会阻止新的硅原子加入到生长薄膜中。 实际外延???度是选在高温区(B区)：在高温区外延，表面Si原子有足够的能量和迁移能力，运动到扭转的位置，易生成单晶。;7.1.5 生长速率与反应剂浓度的关系; 当SiCl4浓度大到一定程度时，化学反应释放硅原子速度大于硅原子在衬底表面的排列生长速度，此时生长速率受硅原子在衬底表面排列生长的速度控制。 进一步增大 SiCl4浓度，也就是当y值达到0.1时，生长速率就开始减小。当SiCl4的浓度增长到0.27时，逆向反应发生，硅被腐蚀。当氢气中SiCl4的摩尔分数大于0.28时，只存在腐蚀反应。 典型生长速率为1?m/min，如图所示。;7.1.6 生长速率与气体流速的关系;7.1.7 衬底晶向对生长速率的影响;7.2、外延层中的杂质分布;原位掺杂：杂质原子是在外延生长过程中掺入到外延层晶格中的，杂质源使外延生长过程变得更为复杂。 掺杂剂：B2H6，PH3，AsH3，稀释后与生长外延层的反应剂一同输送到反应室。 右图是几种掺杂剂的掺入效率与生长温度的关系。硅的生长速率保持恒定时，硼的掺入量随生长温度上升而增加，而磷和砷却随温度上升而下降。 实际掺杂效率还与掺杂剂的类型和浓度、外延层的生长速率、衬底的取向等因素有关。;7.2.2 扩散效应;7.2.3 自掺杂效应; 在重掺杂衬底上生长含有相同导电类型的轻掺杂外延层时，杂质浓度分布右图中(a)所示。 在轻掺杂衬底上，生长不同导电类型的重掺杂外延层，杂质分布情况如图中(b)所示。由图可见，在外延过程中由于自掺杂效应的影响，引起pn结位置的移动。 由图可以看到，杂质浓度的突变型分布是不能实现的。; 同时考虑扩散效应和自掺杂效应，在重掺杂衬底上生长轻掺杂外延层时，衬底与外延层之间过渡区的杂质分布如图。 紧靠近衬底的外延层(A区)，掺杂浓度高，这是因为在外延生长过程中掺杂剂从衬底扩散到外延层中。 与扩散速度相比外延生长速度要大得多，因此很快就抑制了这种影响。B区是自掺杂效应对过渡区的影响。 当外延层生长一定厚度时，自掺杂效应影响也降低，外延层中杂质浓度达到期望值。;(1) 为了减小B的自掺杂，保证外延质量和速度前提下，尽量降低外延生长温度。但对于As杂质无效，As的自掺杂程度随着温度的降低而增强。 (2) 对于n型衬底，应该使用蒸气压低并且扩散速率也低的杂质作为埋层杂质。如用Sb替代高蒸气压的As和高扩散速率的P。 (3) 对于重掺杂的衬底，需要使用轻掺杂的硅来密封重掺杂衬底的