04薄膜成膜技术1PPT.pptVIP

第四章 薄膜成膜技术;常用薄膜材料 一、薄膜导体材料 导体薄膜的主要用途是形成电路图形，为半导体元件、半导体芯片、电阻、电容等电路部件提供电极及相互引线，以及金属化等。应具有以下特性： a.电导率要高； b.对电路元件不产生有害影响，为欧姆连接； c.热导率高、机械强度高； d.置于高温状态，电气特性也不发生变化； e.附着力大，成膜及形成图形容易； f.可进行选择性刻蚀； g.可进行Au丝、Al丝引线键合及焊接等加工。 ;1) Ag Ag具有最高的电导率； 与氧化铝陶瓷及玻璃的附着性好于Au 易形成硫化物污染膜，易形成氧化银 大电流下，易发生电迁移，抗焊锡浸蚀性差 2)Au 导电好，不易氧化，抗蚀性好，电迁移效应弱 对于任何基片没有直接的附着能力，只能用一些中间层来改善，如用铬，镍铬，钛，钨等打底。;3) Cu 导电性仅次于Ag,熔点高，与氧化铝基片附着好，当各种自然条件变化时，仍保持附着性 几乎能被用于所有合金材料中，生产成本低； 抗电迁移性能最好 4) Al 迄今为止，Al在薄膜导体中应用最普遍 对基片，介质，半导体表面附着良好 熔化温度低(659.7摄氏度)，能用相对较低的工艺温度沉积 键合性良好 电迁移效应严重;实际上，采用单一导体很难满足所有要求，构成电子电路往 往需要多种导体膜的组合。 5) Cr-Au Cr-Au与玻璃间具有良好的附着性，无论对