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YSZSi薄膜化学溶液沉积法制备研究 　　摘 要：为了在一定的基板上生长出性能优越的YBCO膜，需要首先在基板上生长出合适的缓冲层（buffer layer）后，再在其上制备YBCO膜。本论文采用化学溶液法制备Y0.15Zr0.85Oδ/Si缓冲薄膜，研究不同退火温度和膜厚对其取向和微结构的影响。 　　关键词：YBCO膜 缓冲层（buffer layer） 化学溶液法 取向 　　基于钙钛矿结构的Cu基氧化物高温超导体的发现，使得超导材料能够在液氮温区得到应用，从而大大推动了超导薄膜的研究和应用。在实际应用中， YBCO被认为是最有可能在微波领域得到广泛应用的材料体系。为了在一定的基板上生长出性能优越的YBCO膜，在很多情况下需要首先在基板上生长出合适的缓冲层（buffer layer）后，再在其上制备YBCO膜。真空技术制备缓冲薄膜依赖于复杂的、昂贵的真空设备，且沉积的速度较低，膜的制造成本很高。作为一种实用技术，必须能大批量、连续化、低成本。要满足这一要求，采用化学溶液沉积法（CSD）法制备大面积、双面YBCO高温超导厚膜是很好的工艺路线。 　　缓冲层的作用主要有三个方面：a）能够很好地传递基片的织构或者自身能生长出很好的织构；b）需要有一定的阻挡性能；以防止YBCO膜和基板之间发生由扩散引起的化学反应；c）与YBCO的晶格常数、热膨胀系数较匹配，防止由失配而造成YBCO膜的性能降低； 　　对YBCO大面积超导薄膜的缓冲层的要求主要有：a.晶格常数必须要与YBCO匹配；b.化学性质稳定，不会与衬底和YBCO发生化学反应；c.能够生长出适合YBCO膜生长的取向。 　　本文研究主要出发点在于：在Si单晶基板上制备出适合YBCO大面积高温超导薄膜生长的缓冲层[1]。由表1可以看出，YSZ（Yttrium-Stabilized Zirconia）作为一种潜在的缓冲层材料[3，4]，与Si的晶格常数失配很小。前期工作表明，YSZ可以很好地阻挡Si与YBCO之间的扩散[2]。另外，YSZ的化学性质稳定，耐高温，介电常数为25，介质损耗小，具有较好的微波性质，从而适合作为YBCO大面积双面膜的缓冲层[5，6]。YSZ是由ZrO2中掺入一定量的Y2O3而得到的一种固溶体型化合物。由于Y的掺入导致ZrO2结构发生变化，在没有掺杂时ZrO2是单斜结构，掺入Y以后，引起结构相变从而可以得到??同的晶体结构。引起结构转变的主要原因在于ZrO2中添加Y2O3后，由于Y3+离子半径与Zr4+相近，Y3+置换Zr点阵中Zr4+而形成二元固溶体，抑制了结构畸变，稳定了ZrO2相。 　　表1 YBCO、YSZ、Si的三个参数 　　本文将采用化学溶液法制备Y0.15Zr0.85Oδ/Si薄膜，研究不同退火温度和膜厚对其取向和微结构的影响。 　　一、实验过程 　　1.YSZ前驱胶体的制备 　　采用乙酸钇（Y（CH3COO）3·4H2O）、四丁氧醇基锆（O（CH2）3CH3）4·CH3（CH2）3OH）、异丙醇（（CH3）2CHOH）以及冰醋酸、乙酰丙酮为原料，来配置YSZ（Y0.15Zr0.85Oδ）薄膜的前驱胶体，配置前驱胶体的流程如下： 　　1.1按摩尔比Y：Zr=0.15：0.85，称量乙酸钇、四丁氧醇基锆以及异丙醇、乙酰丙酮、冰醋酸。 　　1.2在室温下先将乙酸钇溶入异丙醇中，放在搅拌器上搅拌，看到白色浑浊不溶物，然后加入少量的乙酰丙酮，并进行加热，70℃加热三分钟，溶液变透明。 　　1.3用烧杯称相应质量四丁氧醇基锆（ZrO2），将上述液体倒入烧杯中，放在磁力搅拌器上，然后加入相应量的冰醋酸，搅拌十几个小时以上。 　　1.4最后得到了淡鹅黄色的胶体，静置在冰箱中（0℃以上），一般将浓度控制在0.3mol/l之内。我们制得的胶体浓度为0.0625mol/l。在溶液中加入适量的冰乙酸作为催化剂，可延缓胶化时间。 　　实验表明：溶液所处的环境温度和湿度、溶液的浓度、介质或催化剂的作用是影响溶胶、凝胶形成的主要因素。环境温度越高，空气中的水份多，溶液吸水较快，易发生彻底的水解反应而产生沉淀，而且环境温度太高，会加速溶剂的大量挥发，不利于溶胶、凝胶的形成。环境温度越低，空气中的水分越少，溶液吸水慢，可避免彻底的水解反应发生，同时由于缩聚反应的产物是水，保持低的环境温度可促进凝胶产物的交联聚合，从而形成均匀透明的凝胶。 　　2.基片的清洗 　　我们选用单晶Si（100）作为基片来制备YSZ（Y0.15Zr0.85Oδ）薄膜样品。首先清洗Si片，将Si片依次放入丙酮、酒精、甲醇试剂中，超声洗各20分钟后，然后在30℃恒温烘烤20分钟左右，除掉Si表面的氧化物薄膜，使基片表面清洁干燥。 　　3.旋涂（Spin-coating）成膜 　　采用旋涂法。在手套箱内，用物