第六章MCS-51单片机的外部基本扩展和应用.ppt

下面介绍单片机中所使的半导体存储器在功能上的分类。 1.只读存储器 2.随机存储器 3.可现场改写的非易失存储器 1.只读存储器（Read Only Memory) 使用时只能读出而不能写入，断电后ROM中的信息不会丢失。因此一般用来存放一些固定程序，如监控程序、子程序、字库等。按存储信息的方法又可分为四种。 腌膜ROM(固定ROM) 厂家编好程序写入ROM供用使用，用户不能更改。价格最便宜。 可编程的只读存储器PROM 由用户根据自己所编程序一次性写入、一旦写入、只能读出，而不能再进行更改。 可改写的只读存储器EPROM 它的内容可以通过紫外线照射而彻底擦除，擦除后又可重新写入新的程序。使用得当，一般情况下一个EPROM芯片可改写几十次。擦除时间一般为几分钟到二十几分钟（不同厂家略有不同）。 可电改写只读存储器E2PROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) E2PROM可通过加电写入或清除其内容，编程电压和清除电压均为+5V,使用也极为方便。数据不会因掉电而丢失。 E2PROM 保存的数据至少可达10年以上，每块芯片可擦写1000次以上。 2.随机存储器 RAM常用于存放经常要改变的程序或中间计算结果。断电后RAM中的信息全部丢失。 RAM按照存储信息的方式，又可分为静态和动态两种。 静态SRAM(Static RAM) 特点为只要有电源加于存储器，数据就能长期保留。 动态DRAM(Dynamic RAM) 写入的信息只能保持若干毫秒，因此每隔一定时间必须重写一次，以保持原有信息不变。 3、可现场改写的非易失存储器 这些存储器的共同点：从原理上看他们属于ROM型存储器，但是从功能上看，它们又可以随时改写信息,因而作用相当于RAM.所以，ROM、RAM的定义和划分已逐渐失去意义。 快擦写存储器FLASH 在EPROM和E2PROM的制造基础上产生一种非易失存储器。其集成度高，制造成本低于DRAM,既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后不丢失信息的特点。 3. 程序存储器扩展举例 现分3种情况说明程序存储器的扩展方法。 (1) 不用片外译码的单片程序存储器的扩展。 例1: 试用EPROM2764构成8031的最小系统。 解: 由于8031无片内程序存储器, 因此必须外接程序存储器以构成最小系统。 其连接方法是将2764按3总线的要求连接, 其连接的关键在于地址译码。 由于一般所采用的芯片其字节数均超过256个单元, 也就是说片内地址线超过8条, 故地址译码的核心问题是高8位地址线的连接。 (2) 采用线选法的多片程序存储器的扩展。 例2: 在图6―13所示的连接图中, 使用了两片2764, 一共构成了8 K×2=16 K的有效地址。现采用线选法编址, 以P2.7(A15)直接作为片选信号, 当P2.7= 0 时, 选中左边1片2764, 其地址范围为0000H~1FFFH; 当P2.7=1 时, 选中右边1片 2764 , 其地址范围为8000H~9FFFH。 这是部分译码, 有2根地址线未接, 1个单元要占用22=4个地址号。 以上只是4组地址中的1组。 若需地址连续的话, 可取如下1组地址: 6000H~ 7FFFH 和8000H~9FFFH。 (3) 采用地址译码器的多片程序存储器的扩展。 例3: 要求用2764芯片扩展 8031 的片外程序存储器空间, 分配的地址范围为 0000H~3FFFH。 解： 本例采用完全译码的方法, 即所有地址线全部连接, 每个单元只占用唯一的1个地址。 ① 确定片数: ② 分配地址范围: 第1组(1片)所占用的地址范围为: 0000000000000000 0000H … … 00011111111111111FFFH 第2组(1片)所占用的地址范围为: 00100000000000002000H …… 00111111111111113FFFH ③ 画出地址译码关系图: 第1组 上面打×部分为片内译码, 对于2764来说有13位, 其地址变化范围为从全0变到全1, 其余部分为片外译码。 ④ 设计外译码电路: 本例只介绍采用译码器芯片的设计方法, 现采用3-8译码器74LS138。 片外译码只有3根线(P2.7, P2.6, P2.5)， 分别接至译码器的C、 B、 A输入端。