吡嗪分子在si1002×1表面化学吸附机理的理论研究-theoretical study on chemical adsorption mechanism of pyrazine molecules on si 1002× 1 surface.docx

IIAbs订actAbstractAng—yangYu(PhysicalChemistry)DirectedbyProfGuo—zhongHeandKeliHail．Asthedimensionofsemiconductordevicesapproachthemolecularscale，anatomiclevelunderstandingofthesurfacechemicalprocessesinvolvedinsemiconductorfabricationbecomesincreasinglyvaluable．Moreover,theincorporaionofnewinorganicandorganicmaterialsintosemiconductordevicesCallbefacilitatedifasystematicrelationshipbetweentheelectronicstructureofsemiconductorsurfacesandtheirrelativitiestowardinorganicandorganiccompoundscanbedeveloped．Therefore，quantumchemistryassociatedwithsurfaceanalyticaltechniquesisusedtoinvestigatethekeysurfacereactionsinvolvedinthegrowthandfunctionalizationofgroup·IVsemiconductorsurfacesOurstudiesofthechemistryoforganicfunctionalgroupsatthesemiconductorsurfacesshowthatthereactivityofsemiconductorsurfacescanbetreatedwithinalocalizedmolecularframework．Ourcalculationsonadsorptionofpyrazineatthesi(100)-2xlsurfacehavecontributedtotheelucidationoftheselectivityandcompetitionofmufti—functionalorganicmoleculeatthesemiconductorsurfaceThedensityfunctionaltheorywiththepresentSi9H12andSil5H16clustermodelswascarriedouttoinvestigateadsorptionmechanismsofpyrazineattheSi(100)一2x1surface．TheresultspredictthepossiblecoexistenceofN—dativebonded—state，C22C514+2]andtight-bridge_I256productsatthesiooo)一2×1surface．Keywords：molecularscale，quantumchemistry,selectivityandcompetition，thedensityfunctionaltheory第一章前言第一章前言§1．1引言在过去20年问对固体／真空和固体／气体表面已经进行了大量而深入的研究，而且近来取得了突破性的进展。但是迄今仍没有真正对表面结构及表面性质彻底地了解。随着超高真空技术的出现，我们才有可能在原子或者分子水平控制界面的成分和状态，以及使用电子、光子、离子和其他类型的探针来确定表面结构以及表面行为。从单晶体的自由表面出发是最有效的手段。单晶表面可以制备成原子水平的清洁表面，而外来物质可以从亚原子层至多原子层的量随意添加。为此我们将表面定义为局限于分界面两侧只有几个原子层的空间区域。随着信息时代的到来，半导体表面化学引起了科学家们的关注。半导体表面结构，薄膜生长以及无机和有机分子在半导体表面生长成为研究的热点领域。现代微电子行业中关键的技术之一就是在单晶硅及其他衬底材料上外延生长单晶薄膜。生长薄膜的技术主要有物理气相沉积法，包括分子束外延(MBE)，脉冲激光气相沉积法(PLD)，和溅射法；化学方法主要有化学气相沉积法(cvo)，金属有机化学气相沉积法(MOCVD)，等等。CVD方法已经应用在半导体工业生产上已经超过三十年了。其有着独特的优点，例如低的衬底温度，生长成分可控，操作安全可靠，降低薄膜生长温度，适合大规模薄膜生长等等。CVD一般包括以下的过程：(1)表面吸附；(2)配合基(如H，CH3等)的热解或还原丢失：和(3)原予的沉积。以生长单晶硅为例，工业上CVD过程常