掺杂锰氧化物la,0.75-zsra,0.25-yz□,ymno,3a=agna;□=空位的磁电阻效应研究-doped manganese oxide la, 0.75 - zsra, 0.25 - yz □, ymno, 3a = agna; study on magnetoresistance effect of □ = vacancy.docxVIP

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2018-06-28 发布于上海
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掺杂锰氧化物la,0.75-zsra,0.25-yz□,ymno,3a=agna;□=空位的磁电阻效应研究-doped manganese oxide la, 0.75 - zsra, 0.25 - yz □, ymno, 3a = agna; study on magnetoresistance effect of □ = vacancy.docx

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掺杂锰氧化物la,0.75-zsra,0.25-yz□,ymno,3a=agna;□=空位的磁电阻效应研究-doped manganese oxide la, 0.75 - zsra, 0.25 - yz □, ymno, 3a = agna; study on magnetoresistance effect of □ = vacancy

河北师范大学硕士学位论文摘河北师范大学硕士学位论文摘要由于其在金属一绝缘体相变所涉及的强关联效应，以及在磁记录、磁传感等方面潜在的潜在应用前景，近十几年来掺杂钙钛矿型锰氧化物Rel-xAxMn03(其中Re为La， Nd，Pr等稀土金属元素：A为Ca，Sr，Ba等碱土金属元素)的庞磁电阻(CMR)效应受到全世界的广泛关注。目前很多研究集中在室温附近的低场磁电阻效应，以及通过不同元素的替代来改善磁电阻的温度稳定性。我们采用溶胶一凝胶法制备了Lao 75-zSro．2“”烈ax口—诃n03和 Ag矿Lao 75Sr025．。-yAg埔口妒6Mn03(口代表空位)系列样品，对其物性、电输运性质及磁电阻效应进行了系统的研究。得出以下主要结论：1．通过Rigaku DMAx-RB型旋转阳极式X衍射仪对Lao 7s-：Sr025．x廿烈ax口yMn03(口代表空位)的晶体结构进行研究，可知母体材料La0 7sSro zsMn03具有单相菱面体类钙钛矿结构。用Na替代其中部分sr，或同时引入少量阳离子空位，以及增加sr含量(相应地减少La含量)都能得到单相菱面体类钙钛矿结构。若在母体中引入Ag，当Ag含量 xo。04时，得到的样品是金属Ag相和菱面体类钙钛矿结构氧化物的双相复合材料 A懿_Lao 75Sro 25。yAg。8口y+毋ln03(口代表空位)，其中6代表样品中金属Ag相的摩尔含量。2．Lao 75Sro．15Nao,lcIMn03块体样品在5T的外磁场作用下，室温磁电阻可达32．7％，比2004年N．Abdelmoula等人陋11报道的Lao 7Sro lNa02Mn03块体样品的室温磁电阻值提高3|7％。在1．8T的外磁场作用下。‰mSro．15NaoIoMn03块体样品室温磁电阻值可达 17．2％，在312K出现磁电阻峰值，峰值为27．5％。3．Lao 75Sro 19Nao 04口002Mn03块体样品，在284K--309K．的温度范围内，其CMR值保持在9．90％(士0．08％)左右，温度稳定性很好，这对磁电阻效应的应用有很大意义。4．A96一La075Sr025-x-yA甑．6口y+6Mn03复合体系材料在300K时，块体样品AT(x=0．10， v=O，05)，在O．7T以下，磁场灵敏度为26．6％／T，显著提高了样品在室温时的磁场灵敏度。5．我们还得出一个对于应用很有意义的结果：Lao 75Sro tTNao．osMn03块体样品，280K一303K的温度范围内，其CMR值保持在9．0％(士I．0％)左右，温度稳定性较好。且在300K，4T以下，磁电阻随磁场单调增加，呈现良好的线性关系，MR的磁场灵敏度大约为4．3％，r。河北师范大学硕士学位论文总之，在Lao河北师范大学硕士学位论文总之，在Lao 7sSro 25Mn03母体中，掺入少量Ag+或Na+离予以及引入少量阳离子空位显著地提高了室温磁电阻以及室温附近磁电阻的温度稳定性。特别是我们制备的 La0册Sroj7Na008Mn03块体样品，同时具备室温附近磁电阻的温度稳定性好、在4T以下磁电阻随磁场变化的线性好，以及磁电阻的磁场灵敏度较高等优点。这样的特性作为磁场传感器将带来很大的方便。迄今为止，还未见相似的报道。关键词：庞磁电阻，溶胶．凝胶法，钙钛矿结构，温度稳定性一——一一——一塑!!堕蔓奎兰堡圭堂垡丝苎AbastractSince the early 1 990s，the colossal magnetoresistance(CMR)behaviors in perovsikite—manganese oxides have attracted great attention due to both the effect of the s仃ong correlation concerning metal_insulator transition and potentiM application of CMR material in magnetic recording as well as maganetic field sensor．At,plesent，manyresearches have been concentrated on making new material system that caIi provide low fieldmagnetoresistance(LFMR)around room temperature and improving temperature stability ofmagentoresistance at room temperature range by means