纳米结构cozno颗粒膜的结构 磁性和磁电阻效应-structural magnetic and magnetoresistance effects of nanostructured coz no particle films.docxVIP

中文 中文摘要 论文题目：纳米结构 Co/ZnO 颗粒膜的结构、磁性和磁电阻效应 专 业：化学 硕 士 生：高燕 签名： 指导教师：李小丽 签名： 摘 要 自从在 Fe/Cr 金属多层膜中发现巨磁电阻效应以后，人们相继在磁性金属/非磁性 材料的多层膜，颗粒膜和磁性隧道结中都发现了磁电阻效应，并且在磁传感器、计算 机读头以及磁随机存储器等自旋器件中得以广泛应用。但是金属/绝缘体薄膜中存在 一些缺点，如 I-V 特征曲线过宽、电阻过高和针孔效应的存在，这些不利因素的存在 会给材料的应用带来困难。而半导体材料具有较低的势垒高度，能够显著的降低材料 的电阻率，通过增加半导体的厚度，可以有效地避免针孔效应。尽管已经有一些研究 组报道了磁性金属/半导体薄膜的室温磁电阻效应，但是对如何进一步提高磁电阻值 以及对磁电阻的产生机制并没有一致的解释。 本文采用磁控溅射超薄 Co 和 ZnO 层的方法制备了三个系列 Co-ZnO 基颗粒膜 （GF），研究了具有不同基片温度的 GF 样品、三明治结构的 GF(400℃)/ZnO/GF(RT) GF(RT)样品和 ZnO 中掺杂 Al 的三明治结构样品的结构、磁性、磁电阻效应，以及层 间耦合作用。主要研究内容如下： (1)在不同基片温度（100℃、200℃、300℃和 400℃）下沉积了 GF 膜，随着基片 温度的升高，Co 颗粒尺寸增大，薄膜由超顺磁性向铁磁性转变，但是薄膜的室温磁 电阻值随着沉积温度的升高迅速减小，通过比较四个不同温度下沉积的薄膜的磁性和 磁电阻值，发现低温下沉积的薄膜中磁性颗粒较小，有利于室温磁电阻值的产生，而 高温下沉积的薄膜中磁性颗粒较大，有利于改善薄膜的磁性。 (2)为了获得兼具大的磁电阻效应和优异磁性的材料，我们设计了同时具有“热”、 “冷”GF 层的三明治结构薄膜，即 GF(400℃)/ZnO(xnm)(RT)/GF(RT)（x=0，20，40 nm） 样品，由于顶、底 GF 层基片温度一“冷”一“热”，导致一个体系中存在两种尺寸不同 的 Co 颗粒； 三明治结构 GF(400 ℃ )/ZnO/GF(RT) 样 品 的 电 阻 可 以 看 作 是 顶 、 底 “热”“冷”GF 层和 ZnO 中间层三者电阻并联的结果，其磁电阻值相比室温沉积的 GF I 山西 山西师范大学学位论文 薄膜迅速减小，该值更接近“热”GF 层，这源于“热”GF 层低的电阻值导致整个样品的 电流大多流经底层“热”的 GF 层，而且由于顶、底 GF 层之间存在着较强的耦合作用， 导致样品矫顽力减小。随着 ZnO 中间层厚度的增加，顶、底 GF 层间耦合作用逐渐 减弱，样品的磁电阻值和磁性都得到了一定的改善。 （3）在 ZnO 中掺入 Al，制备了 GF(400℃)/ZnO/[Co/ZnAlO]10 样品，我们发现 Al 的掺杂能有效调制顶层“冷”[Co/ZnAlO]10 层的电阻，使其与底层“热”GF 层电阻相 当，进而明显改善样品的磁电阻值。 总之，我们设计和优化了兼具“热”、“冷”GF 层的三明治结构薄膜，在室温下获 得了较大的矫顽力和可观的磁电阻值，从而使薄膜兼具优异的磁学和磁电阻性质。该 研究将为其在自旋电子学器件的应用奠定很好的基础。 【关键词】：磁控溅射；Co/ZnO 颗粒膜；磁电阻效应；矫顽力 【论文类型】：基础 II 英文摘 英文摘要 Title: Structure, magnetism and magnetoresistance, of nanostructured Co-ZnO films Major: chemistry Name：Yan Gao Signature： Supervisor：Xiao-Li Li Signature： Abstract Since the discovery of giant magnetoresistance effect in Fe/Cr multilayers, the magnetoresistance in magnetic multilayers, granular films and magnetic tunnel junctions composed of magnetic metals and non-magnetic materials have been studied extensively for potential application in spintronic devices,such as magnetic sensors, hard disk reading heads and magnetic random access memories. There is little resear