石墨烯的大面积合成 转移及基于石墨烯光电器件的分析-large - scale synthesis and transfer of graphene and analysis of graphene-based optoelectronic devices.docxVIP

摘要石墨烯(graphene)是目前世界上最薄的一种新型二维碳材料。其具极高的载流子迁移率，而且电子具有亚微米尺度的弹道传输特性，常温下具有极快的电子传输速率，这些优异的性质使得它在纳米电子器件方面具有广泛的应用前景。但是由于其大面积均匀制备比较难，而且转移过程中对石墨烯破坏很大并且容易引进杂质污染。这使得石墨烯的产业化应用遇到瓶颈。系统地研究了石墨烯的生长机理并提出了一些改进生长质量的方法。然后对转移方法也进行了一些优化，提出了一种大面积转移的方法，并进行优化。研究内容为石墨烯的产业化应用打下了基础。取得成果主要如下：1.优化石墨烯生长条件，先使得石墨烯能在小面积范围内生长均匀，然后扩大面积生长，并调整生长条件，使得能生长A4尺寸的石墨烯。发现了一种肉眼直接可视的检测石墨烯质量的方法，用这方法在一分钟内可以很直观的看出石墨烯生长质量。2.通过对原有的转移方法进行改进，实现了大面积转移石墨烯到4英寸氧化硅片上。对石墨烯转移过程中引入的杂质也用很简易的方法去除掉。这使得石墨烯在高质量大面积转移方面前进了一大步。提出利用环氧树脂进行转移石墨烯，并实现大面积快速转移，并利用简易的方法图案化。3.制作了石墨烯/硅的肖特基结红外探测器，在常温和低温下分别进行了测试，结果表明在低温下该器件能探测到极弱的光（50nW/cm2）。关键词：石墨烯；红外探测器；肖特基结Largeareasynthesis,transferofgrapheneandstudyoftheoptoelectronicdetectorsABSTRACTGrapheneisthethinnestnew2Dcarbonmaterialintheworld.Itiswiththehighercarriermobility,anditselectroniswithballistictransportpropertiesinsubmicronscale.Besides,electronictransmissionrateisfastatroomtemperature.Theseexcellentpropertiesmentionedabovemakeithaveawideapplicationprospectintheaspectsofnanoscaleelectronicdevices.Butbecausethatthelargeareauniformpreparationisdifficultandthetransferprocessofgraphenewilldogreatdamagetographeneandcontaminationeasytobeintroduced.Thesecausethegrapheneindustrialapplicationencounterbottlenecksheavily.Isystematicallystudiedthegrowthmechanismofgrapheneandputforwardsomemethodstoimprovethequalityofgrowth.Thenthesomeoptimizationoftransfermethodwasalsocarriedoutandpresentedandoptimizedamethodforlargeareatransferindependently.Researchhadlaidthefoundationfortheindustrialapplicationofgraphene.Resultsareasfollows:Inordertooptimizeofgraphenegrowthconditions,Ifirstlymadethegraphenecanevengrowinsmallareas,andthenexpandedtotheareaofgrowth.Afteradjustingthegrowthconditions,thegraphenecangrowtothesizeofA4.Amethodofthenakedeyevisualdetectionofgraphenequalitywasfound.Thismethodcanbeusedtotestgraphenegrowthqualityveryintuitivelyinaminute.Throughtheimprovementoftheoriginaltransfermethod,largeareagraphenecanbetransferredto4inchsiliconwafer.Theimpuritieswereintroducedintothegrapheneduringthetransferproce