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MOSFET管应用研究 　　摘 要 　　SiC是一种新型的功率器件，来近几年广泛的运用于高温高频开关工作，相关的研究工作进展十分迅猛。笔者主要研究MOSFET管的特性以及参数，并通过能够适应宽范围温度的仿真模型进行模拟，对MOSFET单管的应用进行研究，分析了MOSFET对驱动电路的要求。最后根据MOSFET的工作原理进行应用分析，列举若干MOSFET管的常见应用。 　　【关键词】MOSFET 碳化硅 驱动电路 模型 　　半导体材料在电子行业占据着重要地位，广泛运用于工业、医疗等领域。随着科学技术的进步，以及对工作频率的要求的不断提升，MOSFET的问世为解决更高功率等级问题提供新思路。MOSFET得到了广泛的关注，并逐渐形成了Si MOSFET 和 SiC MOSFET两种主要形式。由于后者相比前者导通电阻更低，高温稳定性能更强，应用前景更加广泛，所以笔者在本文主要就SiC MOSFET展开分析。 　　1 MOSFET结构及原理 　　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。相比传统的Si MOSFET，SiC MOSFET有更多优点，但是高昂的价格是限制其广泛运用的关键因素。近年来SiC技术得到了飞速的发展，生产成本不断降低，因此也加大了Sic MOSFET的应用前景，有望成为主流的功率器件。在实际运用中，必须对MOSFET的静态特性和功率损耗进行模拟研究，这样才能完整、科学地评价整个系统。目前国内外相关工作人员针对MOSFET的建模已经有了很多成果，但是基本都是进行的物理特性建模，对于实际运用的研究价值不高。MOSFET对驱动电路有较高的要求，安全阈值十分小，因此这也是限制MOSFET广泛运用的重要原因。 　　目前投入应用的MOSFET主要分为结型以及绝缘栅型，后者的MOS型是应用热点，我们简称其为功率MOSFET。功率MOSFET的主要特点是能够利用栅极电压对漏极电流进行控制，驱动电路结构比较简单，所需的驱动功率不大，开关速度响应快，工作频率高，但是缺点是电流容量较小，耐压性能不佳。MOSFET根据导电沟道进行分类可以分为P沟道以及N沟道。根据栅极电压幅值进行划分可以分为耗尽型和增强型。功率MOSFET多采用N沟道增强型。MOSFET有三个工作区：非饱和区（可变电阻区）、饱和区（恒流区）和截止区。当MOSFET导通时，仅一种多子用于导电，则是单极型晶体管，MOSFT几乎都采用垂直导电的结构，故而也常称作VMOSFET。MOSFET的工作原理是通过在漏源极间加上正电源，栅源极间的电压为0。栅极是绝缘的，因此无栅极电流通过。但是栅极正电压将把P区里的空穴推开。 　　2 建模方法研究 　　以往研究MOSFET时多采用的建模方法主要是物理模型法和等效电路法。前者根据固体物理理论，以半导体方程式的形式描述MOSFET的物理性质，然而此种方法计算量巨大，运用于工程实际效果不佳。等效电路法以MOSFET的外特性作为研究对象，以电路的形式对器件进行简化，因而可以以基本单元对外特性进行描述，此类方法有较多经验公式可以使用，对于工程实际运用有更高的效率，其中PSpice就是基于此建模方法的模拟软件。 　　PSpice软件中的Model Editor模块极大地简化了MOSFET建模过程，Model Editor给用户提供3种MOS模型，即MOS1、MOS2和MOS3。MOS1最为简单直观，参数设定十分清晰，学习成本较低，但是这种模型忽略了电荷储存效应，仿真精度较低。MOS2模型相比MOS1则将短沟道效应考虑在内，以几何图形作为分析对象搭建模型，对电荷储存效应也有一定的分析作用。MOS3则是基于本经验模型的，运算量有了很大的简化，通常所需的外特性曲线参数提取法都运用到此种模型。MOSFET建模通常需要参数微调，提高模型适用性。 　　MOSFET静态特性模型主要由单元M1、提二极管、导通电阻以及温控电压源电流源组成。为了提高模型的精度，笔者并没有采用体二极管的参数，而是用独立的二极管模型对二极管进行描述。根据技术手册可以获得转移特性曲线，然后Model Editor从中提取出沟道宽度和KP。 　　MOSFET动态特性模型主要是为了得到其开关特性，该特性主要由寄生电容确定。MOSFET管的寄生电容与电压是非线性的函数关系，不影响建模精度的情况下，可以忽略温度对电容的影响。 　　3 MOSFET管应用电路 　　众所周知，MOS管突出的优点就是开关性能良好，因此在对电子开关有需求的电路中得到较为广泛的应用，比如