MOCVD生长AlN改进化学反应模型数值模拟探究.docVIP

MOCVD生长AlN改进化学反应模型数值模拟探究 　　摘 要：针对MOCVD-AlN生长的寄生反应很严重的现象，改进化学模型，通过分析垂直转盘反应模型中各组分的浓度分布，发现改进后化学模型生长速率更加接近实验值。垂直喷淋式反应器内的流动和传导相对强烈，其中聚合物粒子浓度在上壁面下方以三聚物和二聚物最高，AlN粒子在反应器中分布较为均匀，垂直喷淋式反应器模拟得到的AlN生长速率比实验值低。 　　关键词：MOCVD；化学模型；AlN；数值模拟 　　DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2018.11.180 　　1 引言 　　AlN（氮化铝）于1877年首次被合成[1]，氮化铝由Ⅲ族Al元素和V族N元素化合形成的半导体材料，在发光二级管、紫外探测器、高频大功率器件等领域有着重要应用。AlN主要以Si、SiC、??-Al2O3为衬底，利用金属有机化学气相外延（MOCVD）得到，金属有机化学气相沉积（MOCVD）是制备AlN的主要方法[9-10]。由于在MOCVD生长AlN的过程中，存在极其严重的寄生反应，在反应器中会产生大量的纳米颗粒，严重影响了晶体薄膜的质量和生长效率[2，3]。在相似的III族元素Ga、In，Al与V族元素N的结合中，Al-N化学键能最强，高达2.88 eV[1-3]。因此，Al（CH3）3与NH3之间气相寄生反应强，含Al粒子在N表面吸附后迁移率低，导致AlN薄膜生长速率慢、均匀性差、生长效率低。 　　2 改进的化学反应模型 　　在AlN的气相化学反应中，涉及到一百多个气相化学反应，其中间产物也有几十种，通过参考文献[4]中模拟，我们已经了解到各种组分在气相化学反应中所占的比重。由于现在我们缺少相关的参数无法对其中的化学反应进行系统的模拟，我们只能找到其在中间化学反应组分含量较高的，对反应主体具有导向作用的，因此，我们对其中的产物作进一步调整很有必要，改进相应的化学反应模型。 　　通过文献[4]对AlN整体的化学反应的探究可以发现，在反应器中AlN的热解路径中间产物MMAl的摩尔浓度和加合路径中间产物化合物、氨基物、二聚物和三聚物都相差好几个数量级，以至于我们可以这样认为，在实际的AlN生长过程中，热解路径微乎其微。而加合路径中寄生反应严重，下面我们将重点关注寄生反应。上面的模拟我们将三聚物作为纳米颗粒产生的代表物质，但是通过上面的数值模拟我们发现三聚物在衬底上方分数占据首要地位，而且比大多数的气相物质要多出好几个数量级，因此我们需要对三聚物进行细化来更加清楚的展现出气相中更为具体的中间过程。在实际AlN生长过程中，纳米颗粒的来源有两种：多聚物粒子加聚后粒子的长大和气相AlN粒子的聚合，我们对上面的化学反应做了进一步改进：把纳米粒子的来源由原来的三聚物进行改进，一种为三聚物、四聚物、五聚物，另一种为AlN气相粒子。此种改进可以使得气相寄生反应的中间过程更加具体化、清晰化。 　　根据Uchida的模型[5]，对应的我们将表面反应也进行了相关的调整：消去了MMAl的表面反应。气相的AlN粒子大部分是在衬底上方的高温边界层内，由于热泳力的排斥作用很难到达衬底表面，在高温边界层内这些AlN粒子通过相互碰撞后可以形成大分子物质[AlN]2-6，这些大分子由于受到更大的热泳力的作用会继续向低温区域移动；还有一部分AlN粒子由于粒子的直径很小没有受到分子碰撞作用，而是通过扩散穿越高温边界层到达表面参与沉积。我们在这添加了气相AlN粒子生长固相AlN的表面反应。 　　3 模型模拟分析 　　3.1 垂直反应器数值模拟 　　我们首先针对文献[4]用过的垂直反应器进行数值模拟，以此来验证此种化学反应模型是否存在真实的优越性。模拟依然采用二维轴对称垂直反应器（RDR）模型，反应器的几何尺寸和生长条件与上面的条件相同。 　　?D1.1给出了沿衬底高度方向的AlN粒子的物质浓度，结合图1.2[4]对比观察我们可以发现，TMAl和TMAl：NH3这两种物质由于在改进的化学反应模型中无变化，得到的模拟结果也与相差不大。而聚合物的变化非常显著，随着聚合粒子直径的增大，这些粒子在反应器中摩尔浓度也有所增加，这是由反应器中复杂的流动情况决定的，使得大粒子物质无法及时从反应器出口排出，反而在衬底上方区域越聚越多，使得粒子驻留时间加长，与此同时大分子物质不断聚集长大；这些聚合物受到的热泳力大小不同，分子直径越大，受到的排斥作用也就越大，分子的热运动就会更加剧烈，和周围分子的碰撞次数也会加大，这样这些分子在碰撞中容易变为更大直径的粒子，因此随着到达衬底表面距离的缩小，分子直径更大的粒子的峰值比小直径分子的峰值更加接近衬底。这也就是聚合物分子直径越大分数越高峰值越靠近衬底的原因。气相化学中的AlN粒子由于直