三维狄拉克半金属古斯―汉欣效应研究.docVIP

三维狄拉克半金属的古斯―汉欣效应研究 　　摘 要： 用有限元软件Comsol Multiphysics进行模拟仿真，研究了线偏振光入射到三维狄拉克半金属的古斯-汉欣效应。结果表明，对于TE/TM偏振入射光，随着波长增大，古斯-汉欣位移均达极值，不同偏振光的古斯-汉欣位移方向相反。 　　关键词： 三维狄拉克半金属；古斯-汉欣效应；有限元模拟 　　中图分类号：TB383 文献标志码：A 文章编号：2095-2945（2018）18-0005-03 　　Abstract： Applying the finite element software Comsol Multiphysics to finite element simulation， this paper studies the Goos-Hnchen （GH） effect of linear polarized light incident to 3D Dirac semi-metal. The results show that for the polarized incident light of TE/TM， with the increase of wavelength， the displacement of Goos-Hnchen reaches an extreme value， and the direction of the shift of Goos-Hnchen of different polarized light is opposite. 　　Keywords： 3D Dirac semi-metal； Goos-Hnchen effect； finite element simulation 　　引言 　　光束入射到两种不同介质的分界面，反射光束偏离几何光学的预期并产生了位移，该位移被称为古斯-汉欣（GH）位移[1]。GH位移的研究涉及不同的材料，如金??[2]，电介质[3]，超材料[4，5]，二维材料石墨烯[6]，拓扑绝缘体[7]；也扩展到了不同的领域，如波导中的位移增强[8，9]，光束平移与控制[10]等。 　　近来，三维狄拉克半金属（3D DSM）这种量子拓扑材料日益受到人们的重视。中科院方忠、戴希小组理论首次预言A3Bi（A=Na，K，Rb）为3D DSM[11]，随后Na3Bi第一个被实验证实[12]。接着人们利用角度分辨的光电子能谱研究了其他3D DSM，如Cd3As2[13]并测量了Cd3As2[13]的光电导。但是，截至目前3D DSM的GH效应尚未得到关注。 　　本文研究线性偏振光入射到3D DSM平板后发生的GH效应，通过改变不同入射光波长来研究三维狄拉克半金属的古斯-汉欣位移的变化情况。 　　1 仿真建模 　　1.1 理论模型 　　如图1所示，波矢为k的入射光以？兹角度入射到放置于空气中的狄拉克半金属层上，反射光产生了一个向右的位移Dr，其中n和d分别表示3D DSM层的折射率和厚度。空气的有效折射率设置为1，三维狄拉克半金属材料的介电函数则由Drude模型计算[14]： 　　式中？着b为有效背景介电常数，g为简并因子，？着c为约化截止能量，？滋F表示三维狄拉克半金属的化学势或费米能。 　　1.2 建立仿真模型 　　统一设置三维狄拉克半金属的厚度为2？滋m，入射光为TE/TM偏振光，从左侧以45°入射角入射，波长变化范围在2？滋m到12？滋m之间。如图2所示，左上角梯形区域和右下角三角形区域为空气域，斜条A区域为三维狄拉克半金属层。在端口E0 /H0的z分量中设置高斯光束表达式为： 　　（2） 　　其中光束腰宽w=5？姿，频率的大小f=c/？姿。 　　2 结果与讨论 　　图3（a）和图3（b）中分别展示了TM（？姿=8.554？滋m）和TE（？姿=8.119？滋m）偏振光以入射角45°入射时产生的古斯-汉欣位移。图3（a）中可以发现GH位移较小，且位移方向为正向；而（b）图中GH位移较大且位移方向为负。为了更好地研究变化的波长对于古斯-汉欣位移的影响，从波长范围2？滋m？姿12？滋m内取若干点，观察TM/TE偏振入射光的古斯-汉欣位移。 　　如图4（a）所示，TM光入射下GH位移在40。在？姿=7.26？滋m处有最小值，且Dr9.2？滋m时GH位移变化趋于平缓且Dr0，总体反射光光束趋于正向偏移。图4（b）是TE偏振光入射下GH位移随波长变化关系图。从图中我们可以发现GH位移在09.5？滋m时，GH位移缓慢变小且此时Dr0。相比TM入射，TE入射条件下古斯-汉欣的位移幅度更大更易于观察。 　　3 结束语 　　本文利用了有限元方法，探究了波长对于三维狄拉克半金属材料的古斯-汉