可控硅整流电路在电抗性负载条件下特性研究.docVIP

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可控硅整流电路在电抗性负载条件下特性研究

可控硅整流电路在电抗性负载条件下特性研究   摘要:可控硅在工业的应用越来越广泛,随着行业应用范围的增大,可控硅的功能越来越全面,本文参照电阻性负载分析的体系,在理论上对可控硅整流电路在大电感、大电容负载条件下的电路参数性能进行系统的分析,求得相关参数曲线和表达式,并利用辅助分析或仿真软件进行验证,得到特征性的结论,以便在实际应用中借鉴。   关键词:可控硅整流MATLAB仿真电感负载电容负   1.引言   可控硅整流在直流大功率宽调节范围的电气控制技术中有着广泛的应用,在以往研究中对电路在电阻性负载条件下的特性研究比较深入。随着技术的发展,大电感、电容性负载进入了实用阶段。对这两种电抗负载条件下电路的电压、电流、可调节性、器件和负载之间的相互影响等的系统分析不够深入,故本题目希望在电抗负载条件下,对可控硅整流电路的以上特性进行系统的分析,并与电阻性负载进行比较,得到特征性的结论。   本课题以研究单相全控桥,三相全控桥式可控硅整流电路为例,系统的分析可控硅整流电路在宽输出电压范围情况下带有电抗性负载时的电压、电流、功率、导通角以及器件技术指标和负载之间相互影响的特性。且均在开关元件是理想的,即开关元件(晶闸管)导通时,通态压降为零,关断时电阻为无穷大的假设条件下完成的。   本章研究的可控硅整流电路在仿真时,其图形中Uscr:U2,Ub:load,Ib:load分别与理论分析中的电源电压u2,负载电压ud,负载电流id对应。电源电压Uscr:U2的峰值参数设置为311.127伏特,50赫兹;大电感负载的负载参数设置为R=1欧姆,L=3亨利;大电容负载的负载参数设置为R=15000欧姆,F=0.09法拉;仿真时间设置为0至0.1秒,solver设置为ode23tb,relative tolerance设置为1e-5。   2. 三相全控桥式可控硅整流电路   3. 2.1纯电阻负载   工作原理:三相全控桥式整流电路是由三相半波可控整流电路演变而来,它可看作是三相半波共阴极接法(VT1,VT3,VT5)和三相半波共阳极接法(VT4,VT6,VT2)的串联组合,其中三相桥式全控整流电路如图2-1所示,三相桥式全控整流电路带电阻负载α=0°时的波形如图2-2所示,三相桥式全控整流电路带电阻负载α =60°时的波形如图2-3所示,三相桥式全控整流电路带电阻负载α =90°时的波形如图2-4所示。       图2-1 图2-2      图2-3图2-4   从上述分析可以总结出三相全控桥式整流电路的工作特点:   1.任何时候共阴、共阳极组各有一只元件同时导通才能形成电流通路;   2.共阴极组晶闸管VT1、VT3、VT5,按相序依次触发导通,相位相差120ordm;,共阳极组晶闸管VT2、VT4、VT6,相位相差120ordm;,同一相的晶闸管相位相差180ordm;。每个晶闸管导通角120ordm;;   3.输出电压ud由六段线电压组成,每周期脉动六次,每周期脉动频率为300Hz;   4. 晶闸管承受的电压波形与三相半波时相同,它只与晶闸管导通情况有关,其波形由3段组成:一段为零(忽略导通时的压降),两段为线电压。晶闸管承受最大正、反向电压的关系也相同;   5.电阻性负载α≤60ordm;时的ud波形连续,α>60ordm;时ud波形断续。α=120ordm;时,输出电压为零Ud=0,因此三相全控桥式整流电路电阻性负载移相范围为0ordm;~120ordm;。   由于α=60ordm;是输出电压Ud波形连续和断续的分界点,输出电压平均值应分两种情况计算:   第一种情况:α≤60ordm;      第二种情况:α>60ordm;      2.2 大电感负载   工作原理:当α≤60ordm;时电感性负载的工作情况与电阻负载时相似,各晶闸管的通断情况、输出整流电压ud波形、晶闸管承受的电压波形等都一样;区别在于由于电感的作用,使得负载电流波形变得平直,当电感足够大的时候,负载电流的波形可近似为一条水平线。α>60ordm;时电感性负载时的工作情况与电阻负载时不同,由于负载电感感应电势的作用,ud波形会出现负的部分。当带电感性负载α=90ordm;时的波形上下对称,平均值为零,因此带电感性负载三相桥式全控整流电路的α角移相范围为90°。其中三相桥式全控整流电路带电感性负载α =0时的波形如图2-5所示,三相桥式整流电路带电感性负载α =90°时的波形如图2-6所示。      图2-5 图2-6   其中输出电压平均值为:      α=0ordm;时,Ud0=2.34U2。   输出电流平均值为:   以下是在给定参数情况下进行定量分析的理论计算:

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