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半导体刻蚀工艺晶圆背面颗粒研究 　　摘 要：半导体制造过程中，干法刻蚀工艺需要晶圆背面与设备接触，把晶圆固定和支撑住，掌握晶圆背面颗粒状态对半导体工艺制程相当重要。本文主要研究前段刻蚀工艺后晶圆背面颗粒的状态、对工艺制程的影响以及降低这种影响的方法。前段刻蚀工艺由于稳定性、精确性和准确性的高要求，需要在每片晶圆作业完后对刻蚀腔体进行自身清洁和聚合物再淀积，以此来保证每片晶圆都有一致的刻蚀环境，刻蚀腔体中的静电吸盘（ESC）表面会覆盖聚合物，此聚合物的反应对温度非常敏感，由于ESC本身硬件的特性，表面聚合物淀积不均匀，造成与其接触的晶圆背面颗粒数很高。对其他晶圆正面造成严重的影响，分析晶圆背面颗粒在设备传输过程中的变化，通过优化晶圆冷却装置和冷却时间，有效地降低晶圆背面颗粒对其他晶圆正面的影响。 　　关键词：半导体制造 晶圆 背面 干法刻蚀 颗粒 　　中图分类号：TN305 文献标识码：A 文章编号：1672-3791（2017）08（c）-0098-04 　　半导体制造过程中，晶圆正面是电路图形，晶圆背面为光片，在工艺制程的最后被研磨掉大部分，容易被忽视，实际上在半导体制造的工艺过程中，晶圆背面不可避免地直接接触到各类设备的平台，经过各道工序后，晶圆背面的颗粒状态也在不断地变化中，这些颗粒变化会交叉影响到晶圆正面的电路，掌握晶圆背面的颗粒状态有利于降低此类影响。 　　本文主要研究半导体制造工艺中的等离子体刻蚀工艺，其中主要对前段刻蚀工艺后晶圆背面颗粒状态做深入研究。前段刻蚀工艺指的是接触孔之前的工艺，一般有浅沟槽刻蚀、多晶硅栅极刻蚀、栅极边墙刻蚀等；而这些刻蚀工艺在整个半导体制程中都是举足轻重的，所有的物理参数和电性参数都密切相关，对刻蚀设备的稳定性提出很高的要求，导致每片晶圆刻蚀完后刻蚀腔体会进行自清洁和聚合物再淀积，以此来保证每片晶圆都有一致的刻蚀环境，这类先进方法的负作用就是使晶圆背面的颗粒状态变得复杂化。 　　首先观察前段刻蚀前后晶圆背面颗粒的变化并对晶圆背面颗粒进行成分分析，找到晶圆背面颗粒形成原因；接着评估刻蚀后晶圆背面颗粒的变化对工艺制程的影响；最后通过硬件和工艺的优化，有效地解除此类影响。 　　1 前段刻蚀后晶圆背面颗粒的状况 　　对前段刻蚀前后晶圆背面进行表面扫描，图1是刻蚀前后晶圆背面扫描的结果，从影像图中看到，刻蚀后的晶圆背面较刻蚀前出现明显的变化，晶圆背面出现了很多不明颗粒。晶圆背面颗粒数目在刻蚀工艺后急剧增加，从原本的几千颗增加到了十几万颗，其中大尺寸颗粒比重很高，刻蚀工艺前晶圆背面颗粒大小集中在1μm以下，但是刻蚀工艺后颗粒尺寸主要集中在1～3μm。 　　1.1 前段刻蚀后晶圆背面颗粒成分分析 　　通过扫描电镜对干法刻蚀工艺后晶圆背面颗粒进行检测和分析，如图2所示，晶圆背面1～3μm尺寸的颗粒呈长条状，颗粒的状态是一部分聚合在一起，一部分发散开来。聚合状态的颗粒与晶圆背面黏附性较强，离散状态的颗粒与晶圆背面黏附性较弱，存在掉落的风险。颗粒以硅元素为主，含有部分氧元素，同时也含有微量的氯元素，是刻蚀反应后的生成物。 　　1.2 前段刻蚀后晶圆背面颗粒的来源 　　针对前段刻蚀后晶圆背面颗粒的来源，先从前段干法刻蚀设备进行分析，图3是前段干法刻蚀设备的简单示意图，干法刻蚀设备是单片作业模式，晶圆正面在刻蚀过程中固定在静电吸盘（ESC）上，吸盘呈圆形，通过在吸盘上加电压，在晶圆与吸盘间产生电场，通过静电吸住晶圆，在整个刻蚀过程中与晶圆背面整片接触，导致晶圆背面颗粒状态发生变化，即静电吸盘是晶圆背面颗粒原来的载体。 　　分析刻蚀作业的模式，在刻蚀过程中ESC由于有晶圆在上方挡着，不会与等离子体直接接触。但是前段刻蚀工艺对刻蚀设备的稳定性要求很高，需要每片晶圆刻蚀完后腔体进行自清洁和聚合物再淀积，以此来保证每片晶圆的刻蚀环境一致，腔体自清洁和聚合物再淀积时ESC会如图3所示，完全暴露在等离子体下，再淀积聚合物会覆盖在ESC表面，如图4所示。 　　分析图4中ESC上的聚合物的组成部分，下面是设备再淀积步骤的完全反应公式，主要是SiCl4和O2的反应： 　　SiCl4（g）+O2（g）――SiO2（s）+2Cl2（g） （1） 　　但是由于是在高能的等离子状态下，反应生成物不是以单一物质SiO2和Cl2存在，实际会发生聚合反应，存在的状态是聚合物SinOn+xCl2（n-x） （x=-1～24），与图2晶圆背面颗粒的成分相同，同时这种聚合物在等离子体状态下又会发生解理反应，如公式（2），在淀积的过程中解理和聚合反应会达到动态平衡： 　　SinOn+xCl2（n-x）―― SiCl4+Sin-1On+xCl2（n-x-2） （2） 　　?D4显示ESC上聚合物的厚度不均匀，表面也