基于0.6 μm CMOS工艺单片集成有源电感设计.docVIP

基于0.6 μm CMOS工艺单片集成有源电感设计 　　摘要：采用0.6 μm CMOS工艺实现了一种CMOS工艺单片集成有源电感的设计，其电路原理图由2个N型场效应晶体管和2个P型场效应晶体管构成，电感值可受直流偏置控制，占用面积小。仿真结果表明，该有源电感电路的工作频率范围为1MHz-1GHz，600MHz频率处电感的Q值达到26，等效电感值为400nH。 　　 　　I 引言 　　 　　电感是电子电路设计中的重要元件，广泛应用在滤波器、带通放大器、高频补偿等各种电路中。随着电子产品朝着小型化、便携式方向发展，人们积极开展了在集成电路中实现无源片上电感的研究[1～5]。然而，无源片上电感存在占用面积大，因而不利于系统集成，寄生元件多，Q值低等缺点。因此，用有源器件构成等效电感，来满足射频单片集成电路的需要成为解决这一难题的方法之一[6～10]。 　　早在上个世纪六十年代，为了解决设计高质量无源滤波器时，要求电路中电感元件具有较高的品质因数，同时具有较小的体积与较低成本的矛盾，人们提出了由分立元件组成的有源滤波器设计方法，即用带负反馈的高增益运算放大器构成有源电感取代无源电感元件。这种方法在低频电路中的应用和设计方法已经相当成熟，然而，在亚微米CMOS工艺上设计高频（或射频频段）具有足够增益的全集成运算放大器是十分困难的。因此，本文在0.6μm CMOS工艺上实现了一