锡须成长机制.pdf

錫鬚的成長機制 中山科學研究院電子系統所蔡碧娥王碩顯 德霖技術學院機械系王宣勝 台灣大學材料科學與工程學系顏秀芳紀志堅莊東漢 一、前言 鬚晶( w h i s k e r ) 以材料種類做區分 ，可以分為陶瓷與金屬兩種 ，而金屬鬚 晶( m e t a l l i c w h i s k e r ) 主要被發現在鎘 、鋅 、錫等金屬電鍍層上 ，關於錫鬚( t i n w h i s k e r ) 的研究從1  1年開始 ，由貝爾實驗室( B e l l L a b o r a t o r y ) 的C o m p t o n 提出 【1 】 後 ，就引起廣大的研究興趣 。早期大部分研究雖然集中在錫鬚的成長機制 ，其 【2 】 中包括差排 、再結晶 、擴散 、氧化以及缺陷等理論 ，但直到目前 ，對於錫鬚的 成長機制還是存在著許多爭議與討論 ，尚無一致的認同 ，但大部分研究指出錫鬚形 成是為了釋放內部錫層中的壓應力 ，並指出錫鬚的形成是屬於自發性反應 。典型的 錫鬚是一種如頭髮ㄧ樣的細長單晶 ，通常在許多不同基材的電鍍錫膜上所發現 ，錫 鬚直徑約為1-  μm ，而長度不等最長可達 0 0 m m ，在型態上 ，錫鬚可以是筆直或 扭曲彎折狀 ，甚至是弧形等各種形式 ，其成長速率約為 0 .0 1- 0 . 1Å / s ，潛伏期可由數天到數年之久 。 針對電子產品無鉛製程 ，在電路板上的引腳或銲墊 【3 】 上的表面處理需要發展一套新的電鍍製程 ，來取代原 本的錫鉛鍍層 ，一個最簡單的方法就是電鍍純錫或是高 錫含量的鍍層 ，但錫鬚問題隨之產生 ，如圖一所示 。其 實在早年選用錫鉛的原因之ㄧ就是要避免錫鬚的困擾 ， 但因應無鉛化的環保需求 ，工程師被要求回頭面對錫鬚 的問題 。因此隨著無鉛製程發展 ，陸續出現錫鬚短路問 題 ，許多機構( 日J E I TA 、美N E M I 、英S O L D E RT E C ) 又 【 】 重新投入錫鬚成長理論的研究 ，探討如何防治錫鬚的 產生 ，同時也有一系列的研究工作是有關於錫鬚的加速 圖一　因引腳架(L e a d - F r e am ) 上形成之錫鬚造 測試規範的訂定與更新 。 成接點短路之SE M 照片 [ 1] 二 、錫鬚的成長機制 【 】 錫鬚的成長過程可以分為 ：成核 、成長 、終止三個階段 。在第二個階段關於 錫鬚的成長 ，迄今已有許多機制被提出 ，包括差排 、再結晶 、擴散 、氧化以及缺陷 等理論 ，在早期的研究中 ，最受認同的大致可以歸納為 ：差排與再結晶兩大理論 ， 【 】 【 】 差排理論的初步概念由P e a c h 首先提出 ，之後由E s h e l b y 等人 、A m e l i n c k x 等 【 】 【 】 【10 】 人 及L i n d b o r g 等人 提出修正理論 ，近期的研究則以L e e 的研究為主 。而再 【11 】 【 】 【12 】 結晶理論最早由E l l i s