试验一LED特性测试试验.PDF

光电成像与显示技术实验 实验一 LED 特性测试实验 一、实验目的 1、熟悉掌握LED 正向伏安基本特性的测试方法； 2、熟悉掌握LED 反向伏安基本特性的测试方法； 3、熟悉掌握LED 角度特性测试方法。 二、实验内容 1、LED 正向伏安特性测试实验； 2、LED 反向伏安特性测试实验； 3、LED 角度特性测试实验。 三、实验仪器 1、信息显示与光电技术综合实验平台 一台 2、LED 特性测试模块 一套 3、连接导线 若干 四、实验原理 （一）LED 发光原理 LED 发光原理：发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs （砷化镓）、GaP （磷化镓）、GaAsP （磷砷化镓）等半导体制成，其核心是PN 结。因此它具有一般P-N 结的I-N 特性，即正向 导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电 子由N 区注入P 区，空穴由P 区注入N 区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多 数载流子（多子）复合而发光。假设发光是在P 区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直 接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。发光的复合量相对于非发光 复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近 PN 结面数μ m 以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ 与发光区域的半导体材料禁带宽 度Eg 有关，即 λ ≈1240/Eg （nm） （1-1） 式中Eg 的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm 紫光～780nm 红光），半 导体材料的Eg 应在3.26～1.63eV 之间。下图为发光二极管结构图。 图1-1-1 发光二极管结构图 光电成像与显示技术实验 图1-1-2 发光二极管I-V 曲线 （二）发光二极管I-V 特性 LED 的I-V 特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻， 反之为高接触电阻。LED 的I-V 曲线如图1-1-2 所示，图中两条曲线分别表示不同材料的LED 的I-V 特征。 （1）正向死区：（图oa 或oa′段）a 点对于Va 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克 服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R 很大；开启电压对于不同LED 其值不同，GaAs 为 1V，红色GaAsP 为 1.2V，GaP 为 1.8V，GaN 为2.5V。 （2）正向工作区：电流I 与外加电压呈指数关系：I =I (eqV/KT –1) F F S F I 为反向饱和电流。V＞0 时，V＞V 的正向工作区I 随V 指数上升：I=I eqV /KT S F F F F S F （3）反向死区：V＜0 时pn 结加反偏压V=-V 时，反向漏电流 I （V=-5V）时，GaP 为 R R 0V，GaN 为 10uA。 （4）反向击穿区V＜-V ，V 称为反向击穿电压；V 电压对应I 为反向漏电流。当反向 R R R R 偏压一直增加使V＜-V 时，则出现 I 突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类 R