TiAl合金与Ti3AlC2陶瓷扩散连接工艺及机理研究-材料加工工程专业论文.docxVIP

国内图书分类号：TG454 学校代码：10213 国际图书分类号：621.791.1 密级：公开 工学硕士学位论文 TiAl 合金与 Ti3AlC2 陶瓷扩散连接 工艺及机理研究 硕 士 研 究 生 ： 林兴涛 导 师 ： 曹健 副教授 申 请 学 位 ： 工学硕士 学 科 ： 材料加工工程 所 在 单 位 ： 材料科学与工程学院 答 辩 日 期 ： 2013 年 6 月 授予 学位单 位 ： 哈尔滨工业大学 Classified Index: TG454 U.D.C: 621.791.1 Dissertation for the Master Degree in Engineering RESEARCH ON PROCESS AND MECHANISM OF DIFFUSION BONDING TiAl ALLOY TO Ti3AlC2 CERAMIC Candidate： Lin Xingtao Supervisor： Asso. Prof. Cao Jian Academic Degree Applied for： Master of Engineering Speciality： Materials Processing Engineering Affiliation： School of Materials Science and Engineering Date of Defence： June, 2013 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 -I- -I- 摘 要 TiAl 合金具有较高的比强度、比刚度和优异的高温性能，在航天领域耐高温部 件上有望得到应用。Ti3AlC2 陶瓷综合了金属和陶瓷的优异性能，在航天领域也具有 广阔的应用前景，但是有关 Ti3AlC2 陶瓷连接方面报道的较少。通过对这两者的连 接，可以实现航天领域新型号发动机中某关键构件的制造。本文研究了 TiAl 合金和 Ti3AlC2 陶瓷的直接扩散连接和添加 Zr/Ni、Ti/Ni 复合中间层的扩散连接，重点分析 了工艺参数对接头组织和力学性能的影响规律，优化了 TiAl 合金和 Ti3AlC2 陶瓷扩 散连接工艺参数，探讨了接头的断裂路径和断口形式，阐明了界面反应层生成机理。 首先研究了 TiAl 合金和 Ti3AlC2 陶瓷的直接扩散连接，接头的典型界面结构为： TiAl/TiAl2/TiAl2+TiAl3/Ti3AlC2+TiCx/Ti3AlC2 陶瓷。当连接温度为 1000℃，保温时间 为 60min 时，接头抗剪强度最高（可达 53.1MPa）。接头在压剪过程中，裂纹首先 在界面处萌生，并迅速向靠近界面的 Ti3AlC2 陶瓷内部扩展，最终断裂在界面处， 断口呈现出弧形的断裂路径。连接温度较低时，界面不能实现有效的连接；但是过 高的连接温度会导致接头残余应力较大，在接头处出现裂纹。 为了缓解直接扩散连接时接头内较大的残余应力，采用 Zr/Ni 复合中间层进行 了 TiAl 合金和 Ti3AlC2 陶瓷的液相扩散连接，接头典型界面结构为：TiAl/Al3NiTi2 +TiAl/Al3NiTi2/AlNi2Zr/AlNi2Zr+Ni10Zr7/Ni7Zr2/Ni5Zr/Ni/Ni3(Ti,Al)/Ni3Al+TiCx+ Ti3AlC2/Ti3AlC2 陶瓷。温度较低时，原子扩散不充分，Zr/Ni 界面处结合不良。温度 过高时，Ni 箔过渡消耗，缓解残余应力的能力下降，进而导致接头连接质量下降。 当连接温度为 825℃，保温时间为 60min 时，接头的抗剪强度达到最大值（达到 75.2MPa）。断裂主要位于 Ni/Ti3AlC2 界面上和陶瓷基体内部。 考虑到液相扩散连接时界面处的溶解与反应过于剧烈，采用 Ti/Ni 复合中间层 实现了 TiAl 合金和 Ti3AlC2 陶瓷的固态扩散连接，接头典型界面结构为：TiAl 合金 /Al3NiTi2+Ti3Al/Ti3Al/Tiss+Ti2Ni/Ti2Ni/NiTi/Ni3Ti/Ni/Ni3(Ti,Al)/Ni3Al+TiCx+Ti3AlC2/ Ti3AlC2 陶瓷。复合中间层中的 Ni 沿着层片状 Ti3AlC2 陶瓷晶界扩散，促使陶瓷发 生分解生成了 TiCx。随着温度的升高，材料屈服强度降低，变形量增加，Ti/Ni 界 面处的柯肯达尔孔洞逐渐闭合，实现良好了连接。温度过高时，Al3NiTi2 和 Ti2Ni 聚集长大，残余应力增加，界面处出现贯穿的纵向裂纹。当连接温度为 850℃，保 温时间为 60min，连接压力为 30MPa 时，接