TFT栅绝缘层用氮化硅薄膜的研究-光学专业论文.docxVIP

电子科技大学硕士学位论文 电子科技大学硕士学位论文 I I 要 氮化硅薄膜具有优良的光电性能、机械性能以及强的阻挡杂质粒子扩散和 水汽渗透等优点，在光电子学和微电子学领域中有着越来越广泛的应用。可以 用来制作内层介电绝缘膜、场效应管C或薄膜晶体管)的栅极绝缘层、非易失 动态随机存储器CDRAMs)的电荷存储层、各种敏感膜层、抗蚀层、钝化保护膜、 掩模以及封装材料等。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)可以在低温(700K) 下沉积优质薄膜，现早已成为工业上制备氮化硅薄膜最常用的方法之一。 然而，PECVD 的反应机理极其复杂，反应具有不可选择性，往往是各种 反应同时发生，无法得到标准化学计量比的氮化硅薄膜。大量的实验研究表明， PECVD 氮化硅薄膜的组成、结构及其性能与沉积参数密切相关。并且，从不 同的沉积系统中得到的结论往往是不相同的，有时甚至相反。前人做的工作大 多也都是经验性的，至今人们对 PECVD 氮化硅薄膜的研究还很不成熟，尚处 于研究探索的阶段，从而在理论上有必要对 PECVD 法氮化硅薄膜做进一步的 研究;与此同时，制备高质量的栅绝缘层用氮化硅薄膜也是制备高性能薄膜晶 体管CTFT)这一课题的需要。 在 PECVD 氮化硅薄膜的实验中，沉积参数在很大程度上影响乃至决定着 氮化硅薄膜的性能。影响氮化硅薄膜性能的主要沉积参数有沉积温度、射频功 率、反应气体流量比、反应压强，此外还有本底真空度、射频频率、反应室几 何形状、电极距等。本文的工作旨在研究探索 PECVD 方法中沉积参数对氮化 硅薄膜的性能及其界面特性的影响，制备性能优良的 TFT 栅绝缘层用氮化硅薄 膜。本实验通过系统地改变沉积参数，在经过清洗好的单晶硅片上沉积了一系 列的氮化硅薄膜。对各种条件下制备的氮化硅薄膜样品做了电流一电压CI-V) 测试、电容一电压CC-V)测试。并对其实验现象和数据进行了分析和讨论， 从而比较系统地总结了主要沉积参数对 PECVD 氮化硅薄膜的电学性能和界面 特性的影响作用。实验过程中，通过对沉积参数的优化选择，获得了较佳的工 艺条件，并在此工艺条件下制备出了具有优良的绝缘耐压性能和较好界面特性 的非晶态氮化硅薄膜。 关键词: PECVD，氮化硅薄膜，栅绝缘层，C-V 测试 II II ABSTRACT Silicon nitride thin film is a kind of very important electric dielectrics with excellent optoelectronic, insulator, mechanical and passivation properties. It will be widely used in optoelectronics, microelectronics and so on. Silicon nitride thin film is mainly used for inner insulator film, the gate insulator layer of field effect transistor (or thin film transistor), the charge storage layer of random memory, sensitivity film, passivation layer, ion stopped layer and encapsulation materials etc. Because plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) succeeded in depositing excellent thin film under lower temperature (700K), PECVD has been one of the most important methods to prepare silicon nitride thin film in industry. Because the reaction mechanism of PECVD is very intricate and the reaction is beyond control, the standard chemical metric Si3N4 is not obtained. Lots of experiments indicate that the form, structure and properties of silicon nitride thin film prepared by PECVD are related to deposition pa