Ta-Si-N表面生长中粒子迁移行为的第一性原理研究机械制造及其自动化专业论文.docxVIP

内 内蒙古科技大学硕士学位论文 I I 摘 要 本 课 题 是 国 家 自 然 科 学 基 金 项 目 、 内 蒙 古 教 育 科 研 基 金 项 目 （NJ06077）和内蒙古自然科学基金项目（2010Zd02）的一部分。这些项目是要研究比 Ti-Si-N 纳米复合表面更强、更硬、更韧的表面，即探查力学性能更好的晶粒相和稳定 性更好的界面相。我们研究发现 TaN 是比 TiN 力学性能更好的晶粒相，Si-N-Ta 是比 Si-N-Ti 更稳定的界面相。由此，Ta-Si-N 可能会形成强度和韧性均优于 Ti-Si-N 的纳米 复合表面。又由于 Ta-Si-N 纳米复合结构的形成与粒子的迁移行为有着密切的关系，因 而，我们需要研究 Ta-Si-N 纳米复合表面薄膜的生长。本论文的焦点集中于采用第一性 原理的方法研究 Ta、Si、N 粒子在 TaN（001）表面和绕岛的迁移行为。通过查阅相关 文献发现，运用该方法研究 Ta、Si、N 粒子迁移行为具有一定的新颖性。 本文中采用第一性原理的方法计算了晶体 Ta、Si 及 N2 分子的晶格常数、键长、单 原子能量和结合能；并计算了几种迁移方式的总能、吸附能和相应的势能面，迁移路径 和激活能。这几种迁移方式包括：单粒子在表面的迁移，双粒子在表面的迁移和单粒子 Ta 绕岛的迁移。细致分析迁移方式和迁移激活能，可以得出以下结论： （1）单粒子 Ta、Si、N 在 TaN（001）表面和绕岛的迁移比 Ti、Si、N 在 TiN （001）表面和绕岛的迁移更困难。 （2）双粒子 Si-N 比 Ta-N 在 TaN(001)表面迁移更容易；Ta-N 在 TaN(001)表面比 Ti-N 在 TiN（001）表面的迁移更困难；Si-N 在 TaN(001)表面比在 TiN（001）表面的 更容易迁移。说明 Si 促进了 Ta-Si-N 纳米复合薄膜的形成，而且 Si 对 Ta-Si-N 纳米复合 薄膜形成的促进作用比 Si 对 Ti-Si-N 纳米复合薄膜形成的促进作用更大。 （3）键长和键能对纳米结构的形成也非常重要。N-N 比 Ta-N 的键能更强，Ta-Ta 键能较弱，导致了 Ta 和 N 的迁移更困难；Si-N 和 Si-Ta 的键能比 N-N、Ta-N 和 Ta-Ta 的弱，使得 Si 和 Si-N 在薄膜成形过程中促进 TaN 的迁移，使得迁移更容易。 关键词：Ta-Si-N；第一性原理计算；势能面；迁移激活能 II II Abstract This research is a part of some projects, including the National Natural Science Foundation of China (NNSFC) under Grant the Inner Mongolia Education and Research Foundation under Grant NJ06077 and the Inner Mongolia Natural Science Foundation under Grant 2010Zd02. The goal of these projects is to search for the nano-composite coatings whose strength, hardness and toughness are better than that of Ti-Si-N coatings. After some Ti-Si-N like nano-composite coatings to have been studied, it is recognized that the mechanical property of TaN crystallite are better than that of TiN one and the stability of interface of Si-N-Ta is better than that of Si-N-Ti interface. Therefore, the strength and toughness of Ta-Si-N nano- composite coatings may be better than that of Ti-Si-N nano-composite coatings. The formation of Ta-Si-N nano-composite structure depends heavily on the diffusion behavior of particles in the film