中子辐照6HSiC的缺陷回复及其拉曼光谱研究-Defect Recovery and Raman Spectra of 6H SiC Irradiated by Neutron.docxVIP

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2018-09-10 发布于上海
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中子辐照6HSiC的缺陷回复及其拉曼光谱研究-Defect Recovery and Raman Spectra of 6H SiC Irradiated by Neutron.docx

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中子辐照6HSiC的缺陷回复及其拉曼光谱研究-Defect Recovery and Raman Spectra of 6H SiC Irradiated by Neutron

中文摘要拉曼光谱是一种有效的、无损的探测材料和材料缺陷的方法。本文首先利用空间群理论及“大区域及区域折叠”的方法计算了 6H-SiC 的晶格振动模式。基于理论计算的结果，检测和分析了中子辐照 6H-SiC 晶体及其退火后拉曼光谱的变化，鉴别其辐照损伤的程度及随退火温度结晶度的回复过程；我们也利用 UV- 可见吸收光谱和 X 射线衍射手段来对中子辐照产生的损伤及其退火回复规律进行了广泛深入的研究。研究结果如下： 1、分析了中子辐照损伤及其退火回复的拉曼光谱特性：研究了剂量为 1.67×1019n/cm2 和 1.72×1020n/cm2 的中子辐照 n 型 6H-SiC 造成的损伤程度，发现损伤水平随剂量的增加而增大，在其晶体内部可能有局部非晶区域的产生。而 1.72×1020n/cm2 的高剂量辐照在其晶体内部产生了石墨簇。辐照引起的纵光学支 LO 及横光学支 TO 不同程度的下移及其线型的变化主要是由于声子限制效应引起的；由其退???回复规律的演变可知，辐照导致 LO-TO 频率分裂发生轻微降低的主要缺陷类型可能归于孤立的空位和间隙缺陷。 2、分析了辐照及其退火回复引起的光吸收特性：辐照引起的吸收谱线的红移及吸收系数的增加与禁带附近引入的局域缺陷态有关。由其退火行为可知，辐照产生的不同类型的复杂缺陷簇引起的光散射导致了带边出现波动起伏的强烈吸收。另外，吸收随退火回复的演变在 800℃之前保持不变，而 800℃之后开始逐渐降低的回复趋势与辐照产生的不同类型缺陷的回复有关。 3、结合 X 射线衍射分析了辐照及辐照后经退火引起的晶格有序度变化：辐照导致晶格有序度降低，半高宽增大；随退火温度增加，有序度又逐渐恢复，半高宽呈现规律性的回复，根据这种规律性在实际中可发展一种新型的测温方法。由以上三种手段对中子辐照 6H-SiC 的退火回复特性的实验研究，表明退火温度 800℃左右为其辐照缺陷转变及复合的一个重要的温度点，在 800℃之前的回复可能主要是近距离的弗伦克尔缺陷及间隙子移动引起的回复；在 800℃之后的回复主要是归于辐照产生的非晶区域的再结晶、空位移动及复杂缺陷簇的分解等引起的缺陷复合湮灭；经 1600℃退火后，辐照产生的缺陷已基本回复。关键词：中子辐照 6H-SiC 缺陷退火拉曼光谱吸收光谱半高宽 ABSTRACT Raman spectroscopy is an effective and nondestructive detection method for analysis of materials and material defects. In this paper, we firstly calculated theoretically the vibration modes of 6H-SiC by using the space group theory and the analysis of large-zone and zone folding model. Based on the above theorical results, Raman spectroscopy of neutron-irradiated and post-annealed 6H-SiC crystal are detected and analyzed. We also studied the damage and annealing recovery of irradiated 6H-SiC with different doses using UV-Visible spectroscopy and X-ray diffraction for identifying the irradiation damage level and recrystallinity with the annealing temperature. The main studies and contributions of this paper are as follows: The damage and annealing recovery of neutron irradiated 6H-SiC with fluence of 1.67×1019 n/cm2 and 1.72×1020 n/cm2 were investigated by Raman technique. The damage level increased with increasing fluence in irradiated 6H-SiC which probably contained localized amor