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栅极下加氧化层新型沟槽栅EJFET 仿真研究 　　摘要：新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层，以降低栅电容，从而改善器件的开关速度，尤其是适用于低压高频领域。通过理论及仿真分析，与无隐埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较。结果证明，该结构具有最低的开关功耗，即QG最小，在相同条件下相对于沟槽栅MOSFET和沟槽栅E-JFET来说，QG的改善分别可达到86.3%和13.4%。 　　关键词：半导体器件；工艺参数/金属-氧化物-半导体场效应晶体管 　　 　　Novel Structure Trench E-JFET 　　with Adding Oxide Region beneath Gate 　　 　　TIAN Bo，KANG Bao-wei，WU Yu，HAN Feng 　　（Beijing University of Technology，Beijing 100022，China） 　　 　　Abstract: A novel structure trench E-JFET with burying oxide region beneath gate is designed, which is applied in the field of low voltage and high frequency operation. This device has low gate capacitance and high switching speed. It is verified through theoretical analysis and simulation that this structure has the lowest switching power consumption, i.e. the lowest QG, compared with trench MOSFET and trench E-JFET which have no buried oxide region, QG improvement is up to 86.3% and 13.4% respectively at the same test conditions. 　　Keywords: semiconductor device；process parameters/metal-oxide-semiconductor transistor 　　 　　1引言 　　 　　近些年来，为了满足计算机、通讯设备、汽车电子产品和家用消费电子产品的快速发展需要，对高频、低压功率半导体器件的研究也日益受到重视。尤其是随着笔记本电脑等体积小、重量轻、功能强的便携式装置的发展，对其机内电源用的功率半导体器件，不仅要求很低的通态压降，而且要求很高的工作频率，以最大限度地减小高频功耗和相关电路中电感、电容的体积，因而对这类功率半导体器件的研究近些年十分活跃。例如，在为笔记本电脑微处理器供电的单相同步降压型Buck电路中，其开关管和同步管就是上述功率半导体器件的具体应用。开关管只是在很短的时间内导通，所以其开关功耗远大于通态功耗，这就要求使用具有较低栅极电荷和栅-漏电容的器件，以提高开关速度；同步管的作用是在开关管关断期间为电感续流，由于它在大部分时间为导通状态，所以其导通功耗远高于开关功耗，因而需要采用具有低通态电阻的器件。 　　目前，在这一应用领域中，沟槽栅（Trench）MOSFET以其通态电阻低，开关速度快的特点占据了主导地位。为降低通态电阻，沟槽栅MOSFET所需的加工精度越来越高，况且在降低通态电阻的同时，必然伴随着栅电容的增加而使开关速度下降。然而，近些年沟槽栅MOSFET的发展速度已减缓下来，其发展潜力已挖掘殆尽，这就使研究人员把注意力投入到其他类型的器件中去。近年来，利用沟槽栅增强型JFET（Trench E-JFET）[1]思想设计和制造的低压高速E-JFET已经面世[2]，其性能完全可与沟槽栅MOSFET竞争，并略有优势。而且沟槽栅E-JFET中不存在MOSFET所固有的速度很慢的寄生体二极管，既有利于降低功耗，也便于电路使用。为此，提出了新结构的沟槽栅E-JFET（简称“新结构沟槽栅E-JFET”）。它进一步改善了沟槽栅E-JFET的高频性能，其性能比沟槽栅MOSFET及已面世的沟槽栅E-JFET（简称“沟槽栅E-JFET”）又有所提高。 　　 　　2器件结构与理论分析 　　 　　对于低压功率半导体器件来说，单位面积芯片的漏源通态电阻RDS（on）和单位面积芯片的栅电荷QG是两个非常重要的参数。RDS（on）的降低意味着导通时的通态功耗大大降低，而QG的减小则