新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺的研究.docVIP

新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺的研究 　　[摘要] 本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料（BARC）的刻蚀，研究了工艺参数：压力，静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率，通过刻蚀参数的控制，可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示，NH3等离子体中的活性组分为H* 和NH*. H*是刻蚀的主要活性物种，NH自由基会产生CN聚合物保护刻蚀目标的侧壁。 　　[关键词] 半导体工艺 刻蚀 氨气等离子体 底部抗发射层 　　[中图分类号] TN405 [文献标识码] A [文章编号] 1674-2583（2014）02-0028-05 　　 1 前言 　　随着半导体技术的发展，技术节点从0.13um下降到了16nm， 甚至更小。同时对于刻蚀特征尺寸的控制要求也越来越高。另一方面，有机材料在半导体生产工艺中有着无可替代的作用。集成电路生产中用到的有机材料主要为光刻胶（I-line，248nm及193nm等），底部抗反射层材料（BARC，Bottom Anti-Reflective Coatings），无定形碳，以及有机的底介电常数材料等。PR主要用于形成光刻图形。BARC材料主要用来减少曝光时光的反射对特征尺寸的影响。无定形碳主要用于tri-layer结构的底部掩膜。而在前道制程（Front-End-of-Line）中，PR 和BAR