多级闪存的数据表示方案及差错控制技术研究-计算机科学与技术专业论文.docxVIP

学校代码 分 类 号  10701 TN91 学 号 1203121554 密 级 公开 TN82西安电子科技大学 TN82 硕士学位论文 多级闪存的数据表示方案及差错 控制技术研究 作者姓名： 张翔 一级学科：计算机科学与技术 二级学科：计算机系统结构 学位类别： 工学硕士 指导教师姓名、职称： 慕建君教授 提交日期： 2014 年 11 月 Research on Multi-Level Flash Data Representation and Error Control A thesis submitted to XIDIAN UNIVERSITY in partial fulfillment of the requirements for the degree of Master in Computer Science and Technology By Zhang Xiang Supervisor: Prof. Mu Jianjun November 2014 西安电子科技大学 学位论文独创性（或创新性）声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在 导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标 注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的 材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说 明并表示了谢意。 学位论文若有不实之处，本人承担一切法律责任。 本人签名： 日 期： 西安电子科技大学 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定，即：研究 生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属于西安电子科技大学。学校有权 保留送交论文的复印件，允许查阅、借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分 内容，允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证，获得学位 后结合学位论文研究成果撰写的文章，署名单位为西安电子科技大学。 保密的学位论文在 年解密后适用本授权书。 本人签名： 导师签名： 日 期： 日 期： 摘 摘 要 西安电子科技大学硕士学位论文 西安电子科技大学硕士学位论文 I I PAGE PAGE IV 摘 要 闪存是一种新型半导体存储器，它凭借高密度、高存储速度、低成本和防震 等优点，成为了当前主流的固态存储器。然而随着人们对存储密度需求的不断加 大，早期的单级闪存逐渐被多级闪存所取代，多级闪存的单元密度更高，同时它 的单元间干扰也更大，相邻点位差的减少也使得错误较单级闪存更容易发生了。 这种改变使闪存的寿命与数据可靠性面临着严峻的挑战，而差错编码方案正是提 高闪存数据可靠性的有效途径。 传统的差错控制技术大多是基于磁盘的物理特性进行设计的，如果将它们直 接应用于闪存的差错控制编码，不但效率低，而且还有可能出现意料之外的错误。 其原因在于磁盘与闪存在物理结构、存取方式、错误类型等方面都有较大差异。 而且由传统纠错码直接演变出的纠错码在应用于多级闪存时效果并不理想，而且 它无法贴合物理特性解决多级闪存特有的错误，所以对闪存的差错控制技术不光 需要从编码上研究，还需要对数据表示方案加以改进。 本文对多级闪存的差错控制技术与数据表示方案进行了研究，基于新型的等 级调制方案（Rank Modulation Scheme），提出了一种自由前缀码的递归构造方法。 本文的主要工作概括如下： 1. 概括了闪存的物理存储结构，介绍了 NAND 型闪存的主要纠错技术，详细 分析了 NAND 型闪存的操作模型与噪声类型，并且对 NAND 型多级闪存下的 BCH 编译码方案进行研究。 2. 针对有限大小错误（Limited-Magnitude Errors）信道模型，通过计算分析， 得到了 NAND 型多级闪存的阈值电压分布与干扰噪声的关系。在此基础上，给出 了一种基于奇偶校验码的多级闪存双向有限大小错误纠错算法，仿真结果表明这 种算法的纠错性能优于传统的 BCH 算法。 3. 针对多级闪存中的电荷泄漏与过度编程会引起存储信息发生错误的问题， 分析了用置换存储数据的新型数据表示方案，并给出了用自由前缀树来构造等级 调制码的递归算法。实验数据表明等级调制方案的错误处理能力优于传统数据表 示方案，且用自由前缀树构造的等级调制码可以有效减少平均擦除次数，从而延 长了闪存的使用寿命。 关 键 词：NAND 型多级闪存， 有限大小， 等级调制， 自由前缀树 论文类型：应用基础研究类 AB ABSTRACT 西安电子科技大学硕士学位论文 西安电子科技大学硕士学位论文 III III PAGE