多晶硅薄膜晶体管低频噪声的建模与表征-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

一一一叫:i: ，-.τ 一一一 - 一唱 回回回 苏州大学学位论文使用授权声明 本人完全了解苏州大学关于收集、保存和使用学位论文的规定， 即:学位论文著作权归属苏州大学。本学位论文电子文档的内容和纸 质论文的内容相一致。苏州大学有权向国家图书馆、中国社科院文献 信息情报中心、中国科学技术信息研究所(含万方数据电子出版社〉、 中国学术期刊(光盘版〉电子杂志社送交本学位论文的复印件和电子 文档，允许论文被查阅和借阅，可以采用影印、缩印或其他复制手段 保存和汇编学位论文，可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数 据库进行检索。 涉密论文口 本学位论文属 在一一一年一一月解密后适用本规定。 非涉密论文 d 论文作者签名: 8A 日 期: Z01 4-.4- ‘!可 导师签名: 心Wb 日期: --yofψ毕!了 I I 多晶硅薄膜晶体管低频噪声的建模与表征 中文摘要 多晶硅薄膜晶体管低频噪声的建模与表征 中文摘要 本文主要建立了一个新的关于多晶硅薄膜晶体管的 1/f 噪声模型。不同于之前的 噪声模型，该模型充分考虑了多晶硅晶粒间界的效应，认为多晶硅晶界耗尽区内的晶 粒陷阱态随机捕获发射沟道反型载流子，导致载流子数目和载流子有效迁移率的涨 落，引起沟道电流噪声。因为晶粒陷阱态分布在晶界耗尽区内的不同位置，载流子隧 穿距离的变化则可以解释 1/f 噪声比较宽的电荷捕获时间常数分布。实验成功测得准 分子激光退火和金属诱导结晶两种工艺的多晶硅薄膜晶体管的噪声数据，模型在低漏 电流区与实验数据拟合很好，说明 1/f 噪声主要来源于反型载流子与晶界耗尽区内陷 阱态的电荷交换。而在高漏电流区，模型拟合要低于实验数据，说明反型载流子与栅 氧陷阱态的电荷交换成为引起 1/f 噪声的主导机制。通过该模型可以得到晶粒内部有 效陷阱态密度，从而对多晶硅薄膜晶体管器件质量的评估提供了一个可行的方法。 关键词: 1/f 噪声，晶粒内部陷阱态、多晶硅薄膜晶体管 作 者：王 明 指导教师：王明湘 II II Abstract Modeling and Characterization of Low Frequency Noise for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Modeling and Characterization of Low Frequency Noise for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Abstract A new model for the 1/f noise of polycrystalline Si thin-film transistors (poly-Si TFTs) is developed. The model adequately incorporates the grain boundary (GB) effect, different from previous work however, the current noise is attributed to fluctuations in both carrier number and effective mobility caused by carrier trapping/detrapping between the channel inversion carriers and the intra-grain traps within the GB depletion region. Because the grain traps distribute with different location in the GB depletion region, the large distribution of the trapping time constants in the 1/f noise behavior is attributed to the variation in carrier tunneling distance. The noise data are measured successfully of excimer laser annealed (ELA) and metal induced crystallized (MIC) poly-Si TFTs. The model fits the noise data very well in the low drain current region, suggesting that the charge exchange between the inversion carri